电子束曝光掩模和用该掩模制造半导体器件的方法

摘要

一种用于电子束曝光的掩模，用在由EB投影光刻系统中。该掩模包括：栅框区域；多个薄膜区域，被栅框区域围绕并具有比栅框区域薄的厚度；多个掩模图形区域，每个掩模图形区域形成在所述薄膜区域的相应一个内。每个掩模图形区域具有对应于子域图形的掩模图形。通过对每个所述掩模图形区域将电子束照射到所述掩模上，使被电子束照射的区域的中心与各所述掩模图形区域的中心重合，按预定的芯片图形曝光晶片。

主权项

1.一种用于电子束曝光的掩模，该掩模用在通过电子束投影光刻系统用预定的芯片图形对晶片曝光的工艺中，所述掩模包括：栅框区域；多个薄膜区域，被所述栅框区域围绕并具有比所述栅框区域薄的厚度；和多个掩模图形区域，每个掩模图形区域形成在所述薄膜区域的相应一个内，每个所述掩模图形区域具有对应子域的图形的掩模图形，子域是通过将所述芯片图形分割成形状和尺寸相同的多个区域得到的。