发明名称 制造薄膜晶体管的方法
摘要 一种制造薄膜晶体管的方法包括下述步骤:在衬底的一表面形成一沟道区域;在衬底的该表面沉积一绝缘层,同时覆盖所述沟道区域并在该绝缘层上形成图案;在该绝缘层上沉积一硅层;在硅层上沉积一金属层并蚀刻该硅层和金属层以限定源、漏和栅电极区;在MOS电路的沟道暴露部分掺入正离子;在该金属层上沉积一中间绝缘层,同时覆盖源、漏和栅电极区并在中间绝缘层上形成图案;以及在中间绝缘层上沉积一电极材料并在该电极材料上形成图案以限定一像素电极区和一线路区。
申请公布号 CN1142585C 申请公布日期 2004.03.17
申请号 CN00134002.6 申请日期 2000.12.06
申请人 三星SDI株式会社 发明人 李正鲁
分类号 H01L21/336;H01L21/84;H01L29/76 主分类号 H01L21/336
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 刘兴鹏
主权项 1.一种制造薄膜晶体管的方法,包括下述步骤:在衬底的一个表面形成一个沟道区域;在衬底的该表面沉积一绝缘层,同时覆盖所述沟道区域并在绝缘层上形成图案,以便暴露该沟道区域的一部分;在该绝缘层上沉积一个硅层;在该硅层上沉积一个金属层并蚀刻该硅和金属层以限定源、漏和栅电极区;在MOS电路的沟道暴露部分掺入正离子;在该金属层上沉积一个中间绝缘层,同时覆盖源、漏和栅电极区并在中间绝缘层上形成图案以形成许多接触孔;以及在该中间绝缘层上沉积一电极材料并在该电极材料上形成图案以限定一个像素电极区以及一个线路区。
地址 韩国京畿道