| 摘要 |
本发明之目的在于提供一种藉由雷射结晶化所形成之半导体装置，而藉由雷射结晶化，能够避免晶粒边界形成于TFT通道形成区中，及其制造方法。本发明之另一目的在于提供一种此半导体装置的设计方法。本发明系有关一半导体装置，其具有多个单元，各单元具有多个具有相同通道长度方向的TFTs，其中，多个单元沿着通道长度方向而形成多个列，其中，多个TFTs之各个TFT的岛形半导体膜系藉由运行于通道长度方向上的雷射光来予以结晶化，其中，岛形半导体膜的通道形成区被放置在基底膜的凹入部分上，而此基底膜具有矩形或条纹图案凹面及凸面，且通道长度方向和凹入部分的纵向方向相符，且其中，多条用来使多个单元互相电连接的导线被形成在多个列之间。 |
