| 主权项 |
1.一种用于半穿透半反射式液晶显示器之薄膜电 晶体面板制造方法,其包含下列步骤: 形成一闸电极以及一第一电容电极于一绝缘基板 上; 形成一闸绝缘层覆盖于该闸电极以及第一电容电 极上; 形成一半导体层覆盖于该闸绝缘层上; 形成一蚀刻阻绝图案(etching stop pattern)于该半导体 层上,该蚀刻阻绝图案包含一第一部份正对一通道 区(channel region)以及一第二部分正对该第一电容电 极,其中该第二部分具有一波浪状表面(corrugated surface); 连续形成一欧姆接触层覆盖于该半导体层以及蚀 刻阻绝图案上,以及一导电层覆盖于该欧姆接触层 上; 图案化该半导体层、欧姆接触层以及导电层而形 成一半导体图案、一欧姆接触图案以及一导电图 案,该导电图案包含被该通道隔开之源极以及汲极 以及一第二电容电极形成在该蚀刻阻绝图案第二 部分之波浪状表面正上方使得该第二电容电极之 表面呈波浪状; 形成一保护层覆盖于该导电图案上; 图案化该保护层以形成一裸露该汲极之第一通孔 以及一裸露该第二电容电极波浪状表面之第二通 孔;以及 形成一透明导电图案经由该第一通孔电性连接至 该汲极并且经由该第二通孔电性连接至该第二电 容电极,其中该第二电容电极波浪状表面大致系裸 露于该透明导电图案用以作为一反射表面。2.依 申请专利范围第1项之用于半穿透半反射式液晶显 示器之薄膜电晶体面板制造方法,其中该蚀刻阻绝 图案形成步骤系包含: 形成一蚀刻阻绝层覆盖于该半导体层上; 形成一光阻图案于该蚀刻阻绝层上,该光阻图案包 含一第一部份正对该通道区、一具有波浪状表面 之第二部分正对该第一电容电极以及一大致不具 有光阻之第三部分;以及 以该光阻图案为遮蔽蚀刻该蚀刻阻绝层而形成该 蚀刻阻绝图案。3.依申请专利范围第1项之用于半 穿透半反射式液晶显示器之薄膜电晶体面板制造 方法,其中该光阻图案形成步骤系包含: 形成一光阻层于该蚀刻阻绝层之上; 放置一具有预先设定图案之光罩于该光阻层上,该 光罩具有至少一狭缝,并且使该光阻层曝露在光源 下;以及 使该曝光后之光阻层显影以得到该光阻图案。4. 依申请专利范围第2项之用于半穿透半反射式液晶 显示器之薄膜电晶体面板制造方法,其中该蚀刻阻 绝层系为一氮化矽层。5.依申请专利范围第2项之 用于半穿透半反射式液晶显示器之薄膜电晶体面 板制造方法,其中该蚀刻阻绝图案之第二部分具有 凹或凸状部设于该波浪状表面。6.一种用于半穿 透半反射式液晶显示器之薄膜电晶体面板,其包含 : 一绝缘基板; 一闸电极以及一第一电容电极设于该绝缘基板上; 一闸绝缘层覆盖于该闸电极以及第一电容电极上; 一半导体图案设于该闸绝缘层上; 一蚀刻阻绝图案设于该半导体图案上,该蚀刻阻绝 图案包含一第一部份正对一通道区以及一第二部 分正对该第一电容电极,其中该第二部分具有一波 浪状表面; 一导电图案包含被该通道隔开之源极以及汲极,以 及一第二电容电极形成在该蚀刻阻绝图案第二部 分之波浪状表面正上方使得该第二电容电极之表 面呈波浪状; 一欧姆接触图案设于该导电图案与该半导体图案 之间; 一保护层覆盖于该导电图案上,该保护层具有一裸 露该汲极之第一通孔以及一裸露该第二电容电极 波浪状表面之第二通孔;以及 一透明导电图案经由该第一通孔电性连接至该汲 极并且经由该第二通孔电性连接至该第二电容电 极,其中该第二电容电极波浪状表面大致系裸露于 该透明导电图案用以作为一反射表面。7.依申请 专利范围第6项之用于半穿透半反射式液晶显示器 之薄膜电晶体面板,其中该第二电容电极具有凹或 凸状部设于该波浪状表面。图式简单说明: 第1-7图:系以剖示图图示一习知薄膜电晶体面板之 制造步骤;及 第8-13图:系以剖示图图示根据本发明一实施例之 薄膜电晶体面板之制造步骤。 |
