| 主权项 |
1.一种制造一电阻性半导体记忆体装置之方法,包含:形成衆多元,第一导电线路;将一种磁性堆叠材料形成于第一导电线路上;沈积抗蚀剂于该磁性堆叠材料上;对该抗蚀剂作图型处理;除去该抗蚀剂之各部份以暴露磁性堆叠材料之各区域;及沈积一硬光罩材料于磁性堆叠材料之暴露区域上以形成一半导体。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中沈积硬光罩材料包含沈积一种金属。3.根据申请专利范围第2项之方法,其中沈积硬光罩材料包含沈积之约10至40nm之该材料。4.根据申请专利范围第2项之方法,其中沈积硬光罩材料包含电镀过程。5.根据申请专利范围第4项之方法,其中沈积硬光罩材料包含溅射,物理气相沈积(PVD)蒸发沈积或其组合。6.根据申请专利范围第4项之方法,其中沈积硬光罩材料包含电镀处理。7.根据申请专利范围第6项之方法,其中该电镀处理包含沈积铜,金或镍。8.根据申请专利范围第4项之方法,其中沈积硬光罩材料包含无电之镀敷处理。9.根据申请专利范围第8项之方法,其中该无电之电镀敷处理包含沈积钯/金,钯/镍,钴(copw)或磷化钴(cop)。10.根据申请专利范围第2项之方法,其中沈积硬光罩材料包含沈积氮化钽,钽氮化钛或钨。11.根据申请专利范围第1项之方法,其中沈积硬光罩材料包含电镀,溅射,物理气相沈积(PVD)蒸发沈积或其组合。12.根据申请专利范围第1项之方法,其中该电阻性半导体记忆装置包含一磁性随机存取记忆体(MRAM)装置,另包含使用该硬光罩对磁性堆叠材料作图型处理以形成数个磁性隧穿接面(MTJ's)。13.根据申请专利范围第12项之方法,另包含除去该抗蚀剂;及在MTJ's上形成衆多之第二导电线路。14.根据申请专利范围第12项之方法,另包含在形成MTJ's及移除该硬光罩。15.根据申请专利范围第1项之方法,其中沈积磁性堆叠材料包含:沈积衆多之第一磁性材料层;在第一磁性材料层上形成一绝缘层,及沈积衆多之第二磁性材料层。16.一种制作磁性随机存取记忆体(MRAM)装置之方法,包含:提供一工作件;沈积一第一绝缘层于该工作件上;在该第一绝缘层内形成衆多之第一导电线路;沈积磁性堆叠材料于第一导电线路及第一绝缘层上;沈积一种抗蚀剂于该磁性堆叠材料上;对该抗蚀剂作图型处理;除去该抗蚀剂之各部份以暴露磁性堆叠材料之各区域;沈积硬光罩材料于磁性堆叠材料之暴露区域上透过抗蚀剂以形成一硬光罩;除去抗蚀剂;及使用该硬光罩对磁性堆叠材料作图型处理及形成磁性隧穿接面(MTJ)。17.根据申请专利范围第16项之方法,其中沈积硬光罩材料包含电镀处理,溅射,物理气相沈积(PVD)蒸发沈积或其组合。18.根据申请专利范围第17项之方法,其中沈积硬光罩材料包含沈积一种金属。19.根据申请专利范围第18项之方法,其中沈积硬光罩材料包含沈积铜,金镍,钯/金,钯/镍,磷化钴钨,磷化钴,氮化钽,钽,氮化钛,钨或其组合。20.根据申请专利范围第18项之方法,其中沈积硬光罩材料包含电镀或无电之镀法。21.根据申请专利范围第16项之方法,其中形成磁性堆叠材料包含:沈积衆多之第一磁性材料层;形成一绝缘体于第一磁性材料层上;及沈积衆多之第二磁性材料层。22.根据申请专利范围第16项之方法,另包含除去该硬光罩。图式简单说明:图1例示一先前技术之MRAM装置之透视图,该装置具有配置成一阵列之磁性堆叠记忆体单元,以字组线路及数元线路安排于每一记忆体单元之上面及下面,藉以出入各记忆体单元;图2至8显示根据本发明之一实例一MRAM装置在制造各阶段中截面图。图9显示根据本发明实例之一MRAM装置之截面图。 |
