发明名称 |
固态成象器件和使用该器件检测光信号的方法 |
摘要 |
本发明是使用成象器件检测光信号的方法,该方法包括以下步骤:通过信号光在光电二极管的阱区(15)中产生光生空穴,通过大部分阱区(15)把光生空穴转移到形成在源区(16)附近的阱区(15)中的重掺杂掩埋层(25)中,重掺杂掩埋层(25)用比绝缘栅FET的阱区(15)重的杂质掺杂,在重掺杂掩埋层(25)中储存光生空穴,由此与光生电荷的量相对应改变FET的阈值电压,读取阈值电压的变化,作为被光传感器接收的信号光的量。 |
申请公布号 |
CN1138306C |
申请公布日期 |
2004.02.11 |
申请号 |
CN98125340.7 |
申请日期 |
1998.12.18 |
申请人 |
伊诺太科株式会社 |
发明人 |
三井田高 |
分类号 |
H01L27/14;H01L27/146;H04N5/335 |
主分类号 |
H01L27/14 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王永刚 |
主权项 |
1、一种固态成象器件,其配备有多个单元象素,每个单元象素包括光电二极管和绝缘栅场效应晶体管,所述光电二极管包括:具有第一导电类型的衬底;形成在所述衬底上并具有第二导电类型的半导体层;形成在所述半导体层上并具有第一导电类型的阱区;形成在所述阱区的表面上并具有第二导电类型的杂质区,和所述绝缘栅场效应晶体管包括:形成在所述阱区的表面上的漏区,延伸到所述杂质区,并具有第二导电类型;形成在所述阱区的表面上的源区,与所述漏区隔开,并具有第二导电类型;形成在栅绝缘层上的栅极,其中栅绝缘层形成在栅区上,栅区是所述漏区和所述源区之间的所述阱区;和形成在所述栅极下面的所述源区附近的所述阱区中的重掺杂掩埋层,所述重掺杂掩埋层用高于所述阱区的浓度的第一导电类型的杂质掺杂。 |
地址 |
日本横滨市 |