| 发明名称 | 在半导体基底上形成光阻层的方法 | ||
| 摘要 | 一种在半导体基底上形成光阻层的方法。首先，在基底上涂覆第一光阻材料；接着，于烘烤第一光阻材料之前，在第一光阻材料上涂覆第二光阻材料；之后，在100－140℃的温度范围下，烘烤基底50－80秒，以形成第一光阻层及同时在其上方形成第二光阻层；最后，将烘烤后的基底冷却至室温。具有降低制造成本和增加生产能力的功效。 | ||
| 申请公布号 | CN1471131A | 申请公布日期 | 2004.01.28 |
| 申请号 | CN02126915.7 | 申请日期 | 2002.07.25 |
| 申请人 | 矽统科技股份有限公司 | 发明人 | 雍镇诚;王明全;杨长浩 |
| 分类号 | H01L21/027;G03F7/00 | 主分类号 | H01L21/027 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘朝华 |
| 主权项 | 1、一种在半导体基底上形成光阻层的方法，其特征是：它至少包括下列步骤：(1)在基底上涂覆光阻材料；(2)于烘烤该光阻材料之前，在该先阻材料上涂覆抗反射材料；(3)烘烤该基底，以形成光阻层及同时在其上方形成抗反射层；(4)通过图罩对该抗反射层及该光阻层进行曝光；(5)对该抗反射层及光阻层进行显影，以在该基底上形成光阻图案。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学园区 | ||