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发明名称 Halbleitervorrichtung auf Basis einer Galliumnitrid-Halbleiterverbindung und Verfahren zu ihrer Herstellung
摘要
申请公布号 DE69718999(T2) 申请公布日期 2004.01.22
申请号 DE19976018999T 申请日期 1997.11.28
申请人 TOYODA GOSEI CO., LTD. 发明人 UEMURA, TOSHIYA;SHIBATA, NAOKI;NOIRI, SHIZUYO;ITO, JUN;MURAKAMI, MASANORI;KOIDE, YASUO
分类号 H01L33/00;H01L33/32;H01L33/42;(IPC1-7):H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人
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