| 主权项 |
1.一种光干涉式显示单元的制造方法,适用于一基材之上,该方法至少包含:形成一第一电极于该基材之上;形成一牺牲层于该第一电极之上;形成至少二开口于牺牲层及该第一电极之内并定义出该光干涉式显示单元之位置;形成一耐热绝缘无机支撑物于该开口之内;形成一第二电极于该牺牲层及该耐热绝缘无机支撑物之上;以及以一远端电浆蚀刻制程移除该牺牲层。2.如申请专利范围第1项所述之光干涉式显示单元的制造方法,其中该第二电极系为一可动电极。3.如申请专利范围第1项所述之光干涉式显示单元的制造方法,其中该第二电极更包括至少一孔洞,该孔洞暴露出下方之该牺牲层。4.如申请专利范围第1项所述之光干涉式显示单元的制造方法,其中该远端电浆蚀刻制程中形成一远端电浆之前驱物包括含有氟基或是氯基的蚀刻剂。5.如申请专利范围第1项所述之光干涉式显示单元的制造方法,其中该远端电浆蚀刻制程中形成一远端电浆之前驱物系选自于四氟化碳、三氯化硼、三氟化氮、六氟化硫或其任意组合所组成之族群。6.如申请专利范围第1项所述之光干涉式显示单元的制造方法,其中该牺牲层的材质可以为介电材质、金属材质或矽材质。7.如申请专利范围第1项所述之光干涉式显示单元的制造方法,其中形成该耐热绝缘无机支撑物的材质可以为矽酸盐或介电材质。8.如申请专利范围第7项所述之光干涉式显示单元的制造方法,其中该矽酸盐可以为旋涂式玻璃、磷矽玻璃、硼磷矽玻璃或氧化矽。9.如申请专利范围第7项所述之光干涉式显示单元的制造方法,其中该介电材质可以为氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或金属氧化物。10.如申请专利范围第1项所述之光干涉式显示单元的制造方法,其中形成该耐热绝缘无机支撑物的方法更包括:形成一耐热绝缘无机材质层于该开口之内及该牺牲层之上;以及移除位于牺牲层上之部分该耐热绝缘无机材质层。11.如申请专利范围第10项所述之光干涉式显示单元的制造方法,其中形成该耐热绝缘无机材质层的方法为旋涂法。12.如申请专利范围第10项所述之光干涉式显示单元的制造方法,其中形成该耐热绝缘无机材质层的方法为化学气相沉积法。13.如申请专利范围第10项所述之光干涉式显示单元的制造方法,其中移除位于牺牲层上之部分该耐热绝缘无机材质层可以为一微影蚀刻制程。14.如申请专利范围第10项所述之光干涉式显示单元的制造方法,其中移除位于牺牲层上之部分该耐热绝缘无机材质层可以为一化学机械研磨制程。15.如申请专利范围第1项所述之光干涉式显示单元的制造方法,其中该远端电浆蚀刻制程的温度介于约摄氏250度至摄氏500度。16.一种光干涉式显示单元的制造方法,适用于一基材之上,该方法至少包含:形成一第一电极于该基材之上;形成一牺牲层于该第一电极之上;形成至少二开口于牺牲层及该第一电极之内并定义出该光干涉式显示单元之位置;形成一耐热绝缘无机支撑物于该开口之内;形成一第二电极于该牺牲层及该耐热绝缘无机支撑物之上;以及以一远端电浆蚀刻制程在摄氏250度至摄氏500度之间的温度下移除该牺牲层。17.如申请专利范围第16项所述之光干涉式显示单元的制造方法,其中该第二电极系为一可动电极。18.如申请专利范围第16项所述之光干涉式显示单元的制造方法,其中该第二电极更包括至少一孔洞,该孔洞暴露出下方之该牺牲层。19.如申请专利范围第16项所述之光干涉式显示单元的制造方法,其中该远端电浆蚀刻制程中形成一远端电浆之前驱物包括含有氟基或是氯基的蚀刻剂。20.如申请专利范围第16项所述之光干涉式显示单元的制造方法,其中该远端电浆蚀刻制程中形成一远端电浆之前驱物系选自于四氟化碳、三氯化硼、三氟化氮、六氟化硫或其任意组合所组成之族群。21.如申请专利范围第16项所述之光干涉式显示单元的制造方法,其中该牺牲层的材质可以为介电材质、金属材质或矽材质。22.如申请专利范围第16项所述之光干涉式显示单元的制造方法,其中形成该耐热绝缘无机支撑物的材质可以为矽酸盐或介电材质。23.如申请专利范围第22项所述之光干涉式显示单元的制造方法,其中该矽酸盐可以为旋涂式玻璃、磷矽玻璃、硼磷矽玻璃或氧化矽。24.如申请专利范围第22项所述之光干涉式显示单元的制造方法,其中该介电材质可以为氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或金属氧化物。25.如申请专利范围第16项所述之光干涉式显示单元的制造方法,其中形成该耐热绝缘无机支撑物的方法更包括:形成一耐热绝缘无机材质层于该开口之内及该牺牲层之上;以及移除位于牺牲层上之部分该耐热绝缘无机材质层。26.如申请专利范围第25项所述之光干涉式显示单元的制造方法,其中形成该耐热绝缘无机材质层的方法为旋涂法。27.如申请专利范围第25项所述之光干涉式显示单元的制造方法,其中形成该耐热绝缘无机材质层的方法为化学气相沉积法。28.如申请专利范围第25项所述之光干涉式显示单元的制造方法,其中移除位于牺牲层上之部分该耐热绝缘无机材质层可以为一微影蚀刻制程。29.如申请专利范围第25项所述之光干涉式显示单元的制造方法,其中移除位于牺牲层上之部分该耐热绝缘无机材质层可以为一化学机械研磨制程。图式简单说明:第1A图至第1B图系绘示习知光干涉式显示单元的制造方法;第2图系绘示习知光干涉式显示单元之俯视示意图;以及第3A图至第3C图系绘示本发明较佳实施例的一种光干涉式显示单元结构的制造方法。 |
