Verfahren zur Einstellung der Einsatzspannung eines Feldeffekttansistors, Feldeffekttransistor sowie integrierte Schaltung

摘要

Bei einem Feldeffekttransistor wird über dem Gate-Dielektrikum (18) ein elektrisches Feld erzeugt, das einen Tunnelstrom durch das Gate-Dielektrikum generiert. Dieser, unterhalb der Durchbruchsladung des Gate-Dielektrikums liegende Tunnelstrom führt zur Bildung von ortsfesten Ladungen in dem Gate-Dielektrikum, durch welche die Einsatzspannung des Feldeffekttransistors verändert werden kann. Damit lassen sich übliche Feldeffekttransistoren programmieren und insbesondere zur Speicherung von Datenwerten verwenden.