| 主权项 |
1.一种在无边界接触窗制程中形成蚀刻终止层之方法,包括下列步骤:提供一基底,该基底具有至少一主动区及用以隔离该主动区之隔离结构;在该主动区形成一n型金氧半导体电晶体;以及利用氨气及矽烷作为制程气体,在该电晶体及该隔离结构上方形成一富含氢之氮化矽层,其中该氨气之流量在20~100sccm的范围,且该矽烷之流量在60~150sccm的范围。2.如申请专利范围第1项所述之在无边界接触窗制程中形成蚀刻终止层之方法,更包括下列步骤:在该富含氢之氮化矽层上形成一介电层;以及以该富含氢之氮化矽层作为蚀刻终止层来蚀刻该介电层,而分别在该电晶体上方及在该主动区与相邻的部分隔离结构上方形成复数接触窗。3.如申请专利范围第2项所述之在无边界接触窗制程中形成蚀刻终止层之方法,其中该介电层包含一氧化矽层。4.如申请专利范围第1项所述之在无边界接触窗制程中形成蚀刻终止层之方法,其中该隔离结构系一浅沟槽隔离结构。5.如申请专利范围第1项所述之在无边界接触窗制程中形成蚀刻终止层之方法,其中该制程气体更包括氮气。6.如申请专利范围第5项所述之在无边界接触窗制程中形成蚀刻终止层之方法,其中该氮气之流量在2000~9500sccm的范围。7.如申请专利范围第1项所述之在无边界接触窗制程中形成蚀刻终止层之方法,其中该制程气体之工作压力在2~6 Torr的范围。8.如申请专利范围第1项所述之在无边界接触窗制程中形成蚀刻终止层之方法,其中形成该制程气体之工作温度在350~450℃的范围。9.如申请专利范围第1项所述之在无边界接触窗制程中形成蚀刻终止层之方法,其中该富含氢之氮化矽层中氢含量在18~25%的范围。10.一种在无边界接触窗制程中形成蚀刻终止层之方法,包括下列步骤:提供一基底,该基底具有至少一主动区及用以隔离该主动区之隔离结构;在该主动区形成一p型金氧半导体电晶体;以及在该电晶体及该隔离结构上方形成一氮化矽层,其中该氮化矽层之沉积温度在500~600℃的范围。11.如申请专利范围第10项所述之在无边界接触窗制程中形成蚀刻终止层之方法,其中该沉积温度约550℃。12.如申请专利范围第10项所述之在无边界接触窗制程中形成蚀刻终止层之方法,更包括下列步骤:在该氮化矽层上形成一介电层;以及以该氮化矽层作为蚀刻终止层来蚀刻该介电层,而分别在该电晶体上方及在该主动区与相邻的部分隔离结构上方形成复数接触窗。13.如申请专利范围第12项所述之在无边界接触窗制程中形成蚀刻终止层之方法,其中该介电层包含一氧化矽层。14.如申请专利范围第10项所述之在无边界接触窗制程中形成蚀刻终止层之方法,其中利用氨气及矽烷作为制程气体且其流量分别在0~100sccm的范围及60~130sccm的范围。15.如申请专利范围第14项所述之在无边界接触窗制程中形成蚀刻终止层之方法,其中该制程气体更包括氮气。16.如申请专利范围第15项所述之在无边界接触窗制程中形成蚀刻终止层之方法,其中该氮气之流量在2000~9500sccm的范围。17.如申请专利范围第14项所述之在无边界接触窗制程中形成蚀刻终止层之方法,其中该制程气体之工作压力在3~7 Torr的范围。18.如申请专利范围第10项所述之在无边界接触窗制程中形成蚀刻终止层之方法,其中该氮化矽层中氢含量在8~12%的范围。图式简单说明:第1a到1d图系绘示出习知形成无边界接触窗之方法剖面示意图;第2a到2f图系绘示出根据本发明实施例之形成无边界接触窗之方法剖面示意图。第3图系绘示出一PMOS之通道长度(m)与汲极饱和电流(A/m)之关系曲线图。 |
