| 主权项 |
1.一种形成具有垂直轮廓之绝缘间隙壁的方法,其包括:提供一半导体基底,其上有一闸极构造;形成一顺应性绝缘层,以覆盖半导体基底和闸极构造;形成一非顺应性绝缘层于该顺应性绝缘层上,而在该闸极构造之顶角部形成悬突状轮廓;以及进行非等向性蚀刻,选择性除去非顺应性绝缘层和顺应性绝缘层,而在该闸极构造之侧壁上形成具有垂直轮廓之绝缘间隙壁。2.如申请专利范围第1项所述之形成具有垂直轮廓之绝缘间隙壁的方法,其中该闸极构造包括一闸极氧化层,和在闸极氧化层上之一闸极层。3.如申请专利范围第1项所述之形成具有垂直轮廓之绝缘间隙壁的方法,其中该顺应性绝缘层为以低压化学气相沈积法(LPCVD)所形成。4.如申请专利范围第3项所述之形成具有垂直轮廓之绝缘间隙壁的方法,其中该顺应性绝缘层为氧化矽或氮化矽。5.如申请专利范围第4项所述之形成具有垂直轮廓之绝缘间隙壁的方法,其中该顺应性绝缘层为TEOS氧化矽。6.如申请专利范围第1项所述之形成具有垂直轮廓之绝缘间隙壁的方法,其中该顺应性绝缘层为以高温氧化法(HTO)所形成之氧化矽。7.如申请专利范围第1项所述之形成具有垂直轮廓之绝缘间隙壁的方法,其中该顺应性绝缘层之厚度为300至3000之间。8.如申请专利范围第7项所述之形成具有垂直轮廓之绝缘间隙壁的方法,其中该顺应性绝缘层之厚度为1000至2000之间。9.如申请专利范围第1项所述之形成具有垂直轮廓之绝缘间隙壁的方法,其中该非顺应性绝缘层为以电浆辅助化学气相沈积法(PECVD)所形成。10.如申请专利范围第9项所述之形成具有垂直轮廓之绝缘间隙壁的方法,其中该非顺应性绝缘层为氧化矽,氮化矽,或氮氧化矽。11.如申请专利范围第10项所述之形成具有垂直轮廓之绝缘间隙壁的方法,其中该非顺应性绝缘层为氧化矽。12.如申请专利范围第1项所述之形成具有垂直轮廓之绝缘间隙壁的方法,其中该非顺应性绝缘层之厚度为100至1000之间。13.如申请专利范围第12项所述之形成具有垂直轮廓之绝缘间隙壁的方法,其中该非顺应性绝缘层之厚度为300至700之间。14.如申请专利范围第1项所述之形成具有垂直轮廓之绝缘间隙壁的方法,其中该非等向性蚀刻系使用碳氟化合物之电浆来进行蚀刻。15.如申请专利范围第14项所述之形成具有垂直轮廓之绝缘间隙壁的方法,其中该碳氟化合物为CF4,CHF3,C2F6,C3F8,C4F8,或其混合物。16.一种形成具有垂直轮廓之绝缘间隙壁的方法,其包括:提供一半导体基底,其上有一闸极构造;以低压化学气相沈积法(LPCVD)形成一顺应性绝缘层,以覆盖半导体基底和闸极构造;以电浆辅助化学气相沈积法(PECVD)形成一非顺应性绝缘层于该顺应性绝缘层上,而在该闸极构造之顶角部形成悬突状轮廓;以及进行非等向性蚀刻,选择性除去非顺应性绝缘层和顺应性绝缘层,而在该闸极构造之侧壁上形成具有垂直轮廓之绝缘间隙壁。17.如申请专利范围第16项所述之形成具有垂直轮廓之绝缘间隙壁的方法,其中该闸极构造包括一闸极氧化层,和在闸极氧化层上之一闸极层。18.如申请专利范围第16项所述之形成具有垂直轮廓之绝缘间隙壁的方法,其中该顺应性绝缘层为氧化矽或氮化矽。19.如申请专利范围第18项所述之形成具有垂直轮廓之绝缘间隙壁的方法,其中该顺应性绝缘层为TEOS氧化矽。20.如申请专利范围第16项所述之形成具有垂直轮廓之绝缘间隙壁的方法,其中该顺应性绝缘层为以高温氧化法(HTO)所形成之氧化矽。21.如申请专利范围第16项所述之形成具有垂直轮廓之绝缘间隙壁的方法,其中该顺应性绝缘层之厚度为300至3000之间。22.如申请专利范围第21项所述之形成具有垂直轮廓之绝缘间隙壁的方法,其中该顺应性绝缘层之厚度为1000至2000之间。23.如申请专利范围第16项所述之形成具有垂直轮廓之绝缘间隙壁的方法,其中该非顺应性绝缘层为氧化矽,氮化矽,或氮氧化矽。24.如申请专利范围第23项所述之形成具有垂直轮廓之绝缘间隙壁的方法,其中该非顺应性绝缘层为氧化矽。25.如申请专利范围第16项所述之形成具有垂直轮廓之绝缘间隙壁的方法,其中该非顺应性绝缘层之厚度为100至1000之间。26.如申请专利范围第25项所述之形成具有垂直轮廓之绝缘间隙壁的方法,其中该非顺应性绝缘层之厚度为300至700之间。27.如申请专利范围第16项所述之形成具有垂直轮廓之绝缘间隙壁的方法,其中该非等向性蚀刻系使用碳氟化合物之电浆来进行蚀刻。28.如申请专利范围第27项所述之形成具有垂直轮廓之绝缘间隙壁的方法,其中该碳氟化合物为CF4,CHF3,C2F6,C3F8,C4F8,或其混合物。图式简单说明:第1a和第1b图显示传统上在闸极构造之侧壁上形成绝缘间隙壁的制程剖面示意图。第2a和第2b图显示依据本发明较佳实施例在闸极构造之侧壁上形成具有垂直轮廓之绝缘间隙壁的制程剖面示意图。 |
