| 发明名称 | 薄膜晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及薄膜晶体管的制造方法。在透明绝缘基片(1)上形成由多晶硅构成的半导体膜(5)和第1栅极氧化膜(6)后，使半导体膜(5)和第1栅极氧化膜(6)成为岛状图案，形成岛状部分，第1栅极氧化膜(6)和半导体膜(5)侧端面不齐，第1栅极氧化膜(6)的端部从半导体膜(5)的侧端面的位置稍微突出形成屋檐状的伸出部分(8)。一面从形成这个半导体膜(5)和第1栅极氧化膜(6)的透明绝缘基片(1)上方例如在30[sec]的时间内滴下浓度为1[％]的氢氟酸水溶液，一面以200[rpm]的旋转速数旋转透明绝缘基片(1)，进行旋转清洗。因此，能够在清洗同时除去伸出部分(8)。通过确实地除去伸出部分提高成品率。 | ||
| 申请公布号 | CN1461048A | 申请公布日期 | 2003.12.10 |
| 申请号 | CN03137819.6 | 申请日期 | 2003.05.21 |
| 申请人 | NEC液晶技术株式会社;日本电气株式会社 | 发明人 | 奥村展;盐田国弘 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L29/786 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1.薄膜晶体管制造方法包含在基片上形成的半导体膜上形成第1绝缘膜的第1绝缘膜形成工序、使上述半导体膜和上述第1绝缘膜成为岛状图案形成岛的岛形成工序、在上述岛上形成第2绝缘膜的第2绝缘膜形成工序、和在上述的第2绝缘膜上形成栅极的栅极形成工序，其特征在于：该方法包含在实施了上述岛形成工序后，除去构成上述岛的上述第1绝缘膜的侧端部分在上述半导体膜的侧端部分上方屋檐状地形成的伸出部分的伸出部分除去工序，在实施了该伸出部分除去工序后，实施上述第2绝缘膜形成工序。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||