| 发明名称 | 导体的焊接方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种导体的焊接方法，能使焊接金属中的Si或Mg的分布保持均匀，防止焊接裂纹产生，在铝合金导体管的焊接坡口与铝合金端子零件的焊接坡口之间，插入铝合金构成的环状焊填合金，用电子束照射该焊填合金使其熔融，将双方部件焊接成一体。将母材对于焊接金属的稀释率控制为不足60％的值，以重量百分比计，将焊接金属中的Si量调节为5.35～12.0％。 | ||
| 申请公布号 | CN1129499C | 申请公布日期 | 2003.12.03 |
| 申请号 | CN99102726.4 | 申请日期 | 1999.03.04 |
| 申请人 | 东芝株式会社 | 发明人 | 田村雅贵;牧野吉延;木村盛一郎;友田宪次;雏田谷博 |
| 分类号 | B23K15/00;B23K26/20 | 主分类号 | B23K15/00 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 黄剑锋 |
| 主权项 | 1.导体的焊接方法，在铝合金导体管的焊接坡口与铝合金端子部件的焊接坡口之间，插入铝合金构成的焊填合金，用高能量射束照射该焊填合金，将导体管的焊接坡口和端子部件的焊接坡口焊接成一体，其特征在于，使射束中心靠近焊填合金地用高能量射束照射与上述焊接坡口相接的焊填合金的两端缘部，控制母材相对于焊缝金属的稀释率，使该焊缝金属中的Si量，以重量百分比计是5.35～12.0％。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||