| 主权项 |
1.一种用以产生图样薄膜之方法,该方法的特征为包括以下步骤:(i)将一矽酮组合物涂抹在该半导体晶圆的活性表面上以形成一薄膜,其中该矽酮组合物包括:(A)每一分子含有平均至少两个矽连接之烯基之有机聚矽氧烷,(B)每一分子含有平均至少两个矽连接之氢原子之有机矽化合物,其浓度足以固化该组合物,以及(C)催化量之光活化之氢化矽烷化催化剂;(ii)将一部份的薄膜曝露在波长150至800nm之光线中以产生部份曝光膜,其非曝光区域覆盖每一连接垫之至少一部份而其已曝光区域则覆盖该活性表面之其余部份;(iii)将部份曝光膜加热一段时间,使得该曝光区域不会溶解于显影溶剂中而该非曝光区域则可以溶解于显影溶剂中;(iv)利用显影溶剂将该加热薄膜的非曝光区域移除以形成一图样薄膜;以及(v)将该图样薄膜加热一段充分的时间以形成该固化矽酮层。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该基底包括一半导体晶圆,该表面包括该半导体晶圆之一活性表面,该活性表面包括至少一种积体电路,以及每一积体电路都具有多个连接垫。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该晶圆尚包括街线。4.如申请专利范围第1,2,或3项中任何一项之方法,其中该固化矽酮层的厚度为1到50m。5.如申请专利范围第1,2,或3项中任何一项之方法,其中成分(A)基本上系一种由R13SiO1/2矽氧烷单元及SiO4/2矽氧烷单元所组成之有机聚矽氧烷树脂,其中每个R1系从一价烃及一价卤化烃群中个别地选取,以及该有机聚矽氧烷树脂中之R13SiO1/2单元与SiO4/2单元之莫耳比率为0.6到1.9。6.如申请专利范围第1,2,或3项中任何一项之方法,其中成分(B)系一种有机氢聚矽氧烷。7.如申请专利范围第1,2,或3项中任何一项之方法,其中成分(B)之浓度系足以提供成份(A)中每一烯基0.7个到1.2个矽连接之氢原子。8.如申请专利范围第1,2,或3项中任何一项之方法,其中该光活化催化剂系一种-二酮铂(II)。9.如申请专利范围第1,2,或3项中任何一项之方法,其中该矽酮组合物尚包括一种有机溶剂。10.一种半导体封装,包括:一半导体晶圆,其具有一活性表面,该活性表面包括至少一积体电路,以及每一积体电路都具有多个连接垫;及一固化矽酮层,其覆盖该晶圆之活性表面除了该等连接垫外,其中该矽酮层由下列步骤所制备:(i)将一矽酮组合物涂抹在该半导体晶圆的活性表面上以形成一薄膜,其中该矽酮组合物包括:(A)每一分子含有平均至少两个矽连接之烯基之有机聚矽氧烷,(B)每一分子含有平均至少两个矽连接之氢原子之有机矽化合物,其浓度足以固化该组合物,以及(C)催化量之光活化之氢化矽烷化催化剂;(ii)将一部份的薄膜曝露在波长150至800nm之光线中以产生部份曝光膜,其非曝光区域覆盖每一连接垫之至少一部份而其已曝光区域则覆盖该活性表面之其余部份;(iii)将部份曝光膜加热一段时间,使得该曝光区域不会溶解于显影溶剂中而该非曝光区域则可以溶解于显影溶剂中;(iv)利用显影溶剂将该加热薄膜的非曝光区域移除以形成一图样薄膜;以及(v)将该图样薄膜加热一段充分的时间以形成该固化矽酮层。图式简单说明:图1所示的系根据本发明之半导体封装之剖面图。图2所示的系根据本发明之半导体封装剖面图,其尚包括一依附在每个连接垫的金属线路(trace)。 |
