发明名称 微小化多层式共平面波导低通滤波器
摘要 一种微小化多层式共平面波导低通滤波器,其特征在于:是种微小化多层式共平面波导低通滤波器,包括:一基板;一形成在基板上并覆盖该基板的第一介电层;一形成在第一介电层上的第一金属图案层;一形成在第一金属图案层上的第二介电层,该第二介电层上形成通孔;一形成在第二介电层上的第二金属图案层,其金属乃填满第二介电层上所形成之通孔;一形成在第二金属图案层上之第三介电层,其上并形成有通孔;以及一形成在第三介电层上之第三金属图案层,其金属乃填满第三介电层上所形成之通孔者。伍、(一)、本案代表图为:第__5__图(二)、本案代表图之元件代表符号简单说明:10:基板11:介电层12:金属图案层
申请公布号 TW562249 申请公布日期 2003.11.11
申请号 TW092203761 申请日期 2003.03.12
申请人 乾坤科技股份有限公司 发明人 曾士轩;林正国;王胤晴;黄凡修;詹益仁
分类号 H01P1/20 主分类号 H01P1/20
代理机构 代理人 郑再钦 台北市中山区民生东路三段二十一号十楼
主权项 1.一种微小化多层式共平面波导低通滤波器,其特征在于:是种微小化多层式共平面波导低通滤波器,包括:一基板;一形成在基板上并覆盖该基板的第一介电层;一形成在第一介电层上的第一金属图案层;一形成在第一金属图案层上的第二介电层,该第二介电层上形成通孔;一形成在第二介电层上的第二金属图案层,其金属乃填满第二介电层上所形成之通孔;一形成在第二金属图案层上之第三介电层,其上并形成有通孔;以及一形成在第三介电层上之第三金属图案层,其金属乃填满第三介电层上所形成之通孔。2.如申请专利范围第1项之微小化多层式共平面波导低通滤波器,其中,基板之材料为GaAS、Al2O3或FR4者。3.如申请专利范围第1项之微小化多层式共平面波导低通滤波器,其中,第一、第二、第三介电层之材料为苯并环丁烯(Benzocyclobutene)者。4.如申请专利范围第1项之微小化多层式共平面波导低通滤波器,其中,第一、第二、第三金属图案层之材料为金者。5.如申请专利范围第1项之微小化多层式共平面波导低通滤波器,其中,第一金属图案层之图案乃如第6A图所示者。6.如申请专利范围第1项之微小化多层式共平面波导低通滤波器,其中,第二金属图案层之图案乃如第6B图所示者。7.如申请专利范围第1项之微小化多层式共平面波导低通滤波器,其中,第三金属图案层之图案乃如第6C图所示者。图式简单说明:第1图为共平面波导之一种基本构成示意图;第2图为以二维方式利用共平面波导设计之习见低通滤波器示意图;第3图为利用了步阶式阻抗的原理所设计之一种二维平面波导低通滤波器示意图;第4图为使用巴特沃原型设计之一个五阶低通滤波器等效电路;第5图为本创作之微小化多层式共平面波导低通滤波器结构截面图;第6A图-第6C图为本创作之三道金属图样层之示意图;第7A图-第7G图为本创作制造步骤截面说明图;第8图为本创作之微小化多层式共平面波导低通滤波器结构立体图;第9图为本创作之微小化多层式共平面波导低通滤波器模拟与量测之返回损耗特性图;第10图为本创作之微小化多层式共平面波导低通滤波器模拟与量测之介入损耗特性图。
地址 新竹市新竹科学工业园区研发二路二号