| 发明名称 | 为防止第二位元效应的非挥发性记忆晶胞 | ||
| 摘要 | 一种为防止第二位元效应的非挥发性记忆晶胞，该记忆晶胞的构造包括在一半导体基底上的一通道两侧的一对源/汲极区域，在该通道上方的可程式化层，以及在该可程式化层上方的闸极导体，其特点在于：该可程式化层与该对源/汲极区域分别具有第一及第二边界宽度，该可程式化层自身具有一最大宽度为第三宽度大于该第一及第二宽度。该可程式化层包括一陷阱介电层夹置在二绝缘层之间，该陷阱介电层为氮化物或具有埋藏多晶矽岛的氧化物。 | ||
| 申请公布号 | CN1453873A | 申请公布日期 | 2003.11.05 |
| 申请号 | CN02118462.3 | 申请日期 | 2002.04.24 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 蒋富成;张国华 |
| 分类号 | H01L27/105 | 主分类号 | H01L27/105 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 1.一种为防止第二位元效应的非挥发性记忆晶胞，包括：一通道在一基底上；一对源/汲极在该基底上分别位于该通道的两侧；一可程式化层在该通道上方；及一闸极导体在该可程式化层上方；其中，该可程式化层与该对源/汲极区域之间分别具有第一及第二边界宽度，该可程式化层具有一最大宽度实质上大于该第一及第二边界宽度。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学园区 | ||