| 主权项 |
1.一种用于读及/或写操作之数位磁性记忆单元装置,具有一软磁读及/或写层系统及至少一硬磁参考层系统,其设计成为一AAF系统且包括至少一参考层,其中参考层系统(2,2',2",2'"a,2'"b)具有一层部分包括至少一偏压层系统(7,7',7'",7"")具有至少一亚铁磁层(8,8',8'",8""),偏压层系统(7,7',7'",7"")及参考层(10,10',10"a)之磁矩经由一耦合层(9,9')而反向连接。2.如申请专利范围第1项之记忆单元装置,其中亚铁磁层(8)由一磁性转移金属及一稀土金属之合金组成。3.如申请专利范围第1项之记忆单元装置,其中偏压层系统仅由亚铁磁层(8)组成。4.如申请专利范围第1至3项中任一项之记忆单元装置,其中亚铁磁层系一多层系统(8',8")包括一磁性转移金属及一稀土金属。5.如申请专利范围第1至3项中任一项之记忆单元装置,其中个别耦合层之至少一部分之磁矩藉由RKKY耦合经由个别耦合层而连接。6.如申请专利范围第1至3项中任一项之记忆单元装置,其中参考层系统(2,2',2",2"'a,2"'b)之净磁矩形成一AAF系统,在记忆单元装置(1,11,12,13,15,18)之操作窗中其远低于饱和且较佳系0。7.如申请专利范围第1至3项中任一项之记忆单元装置,其中参考层系统(2,2',2",2"'a,2"'b)之至少一层具有一单轴各向异性。8.如申请专利范围第7项之记忆单元装置,其中藉由参考层系统(2,2',2",2"'a,2"'b)之至少一层或所有层之倾斜沈积而产生单轴各向异性。9.如申请专利范围第7项之记忆单元装置,其中藉由在层系统产生期间出现之磁场中施以一较佳方向而产生单轴各向异性。10.如申请专利范围第7项之记忆单元装置,其中藉由一种子层(14)其上成长参考层系统而产生单轴各向异性。11.如申请专利范围第7项之记忆单元装置,其中藉由在一磁场中之热退火相期间施以一较佳方向而产生单轴各向异性。12.如申请专利范围第7项之记忆单元装置,其中参考层系统之至少一层或所有层,较佳地系其亚铁磁层,具有一高磁束系数。13.如申请专利范围第12项之记忆单元装置,其中藉由各向异性扭曲减轻而产生单轴各向异性。14.如申请专利范围第13项之记忆单元装置,其中参考层系统之一或所有层之结晶,较佳地系亚铁磁层结晶,系长形。15.如申请专利范围第13项之记忆单元装置,其中提供至少一扭曲或变形层(16)以增加各向异性扭曲减轻。16.如申请专利范围第1至3项中任一项之记忆单元装置,其中参考层系统(2")包括二个层部分(2"a,2"b),各有二个铁磁层(27,29,31,33)其间排列有一亚铁磁层(28,32),层系统经由一抗铁磁耦合中层(30)而连接。17.如申请专利范围第1至3项中任一项之记忆单元装置,其中一解耦合层系统(3,3"'),将一软磁测量层系统(4,4"')与一参考层系统(2,2',2",2"'a,2"'b)分开,系一金属层或一绝缘层或一半导体层。18.如申请专利范围第1至3项中任一项之记忆单元装置,其中它系一巨大磁阻,一磁隧道接面,或一转阀电晶体系统。19.一种数位记忆装置,包括多个如申请专利范围第1至18项中任一项之记忆单元装置。图式简单说明:图1显示根据本发明的记忆单元装置的第一实例的剖面图,图2的图形显示一亚铁磁的温度相依磁化曲线,图3显示根据本发明的记忆单元装置的第二实例,其具有多层偏压层系统,图4显示根据本发明的记忆单元装置的第三实例的剖面图,其具有多层AAF参考层系统,图5显示根据本发明的记忆单元装置的第四实例的剖面图,其具有一种子层以产生各向异性,及图6显示根据本发明的记忆单元装置的第五实例的剖面图,其具有一扭曲层以产生各向异性。 |
