发明名称 具有嵌入电感器之无引线晶片载体之构造及制造方法
摘要 一实施例包括一种具有一用于承接半导体晶方的顶表面的基材。依据所揭示的实施例,一电感器图案化于基材的顶表面上。可以藉由将电感器的第一与第二端子个别连接至一基材信号接合垫与一半导体晶方信号接合垫,而容易地处置该电感器。在另一所揭示的实施例中,一电感器制造于基材中。电感器包括通孔金属区段,其连接基材顶与底表面上的互联金属区段。经由第一与第二基材信号接合垫,可以容易地处置电感器的第一与第二端子。一实施例包括至少一在基材中的通孔。该至少一通孔在半导体晶方之一信号接合垫与一接合至基材底表面的印刷电路板之间提供电连接。
申请公布号 TW558921 申请公布日期 2003.10.21
申请号 TW091117321 申请日期 2002.08.01
申请人 科思特系统股份有限公司 发明人 穆罕默德 麦加罕;哈森 赫斯米
分类号 H05K3/00 主分类号 H05K3/00
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种半导体结构,包括:一具有一用于承接晶方的顶表面之基材;一图案化于该基材的顶表面上之导体,该导体具有一第一端子及一第二端子,各该第一及第二端子位在该基材的该顶表面上,该导体的该第一端子适用于连接至一第一基材信号接合垫,该第一基材信号接合垫位在该基材的该顶表面上,且该导体的该第二端子适用于连接至一第一晶方信号接合垫,该第一晶方信号接合垫位在该基材的该顶表面上;一接合至该基材底表面之印刷电路板;至少一在该基材中之通孔;该至少一通孔在一第二晶方信号接合垫与该印刷电路板之间提供电连接。2.如申请专利范围第1项之半导体结构,其中该晶方是半导体晶方。3.如申请专利范围第1项之半导体结构,其中该基材包括一有机材料。4.如申请专利范围第1项之半导体结构,其中该基材包括一陶瓷材料。5.如申请专利范围第1项之半导体结构,其中该至少一通孔在一第二基材信号接合垫与该印刷电路板之间提供电连接,该第二基材信号接合垫电连接至该第二晶方信号接合垫。6.如申请专利范围第5项之半导体结构,其中该第二基材信号接合垫藉由一接合线电连接至该第二晶方信号接合垫。7.如申请专利范围第1项之半导体结构,其中至少一通孔在该第二晶方信号接合垫与一岸面之间提供电连接,该岸面电连接至该印刷电路板。8.如申请专利范围第1项之半导体结构,其中该至少一通孔在一第二基材信号接合垫与一岸面之间提供电连接,该第二基材信号接合垫电连接至该第二晶方信号接合垫,且该岸面电连接至该印刷电路板。9.如申请专利范围第8项之半导体结构,其中该第二基材信号接合垫藉由一接合线电连接至该第二晶方信号接合垫。10.如申请专利范围第1项之半导体结构,其中该至少一通孔包括一导热材料。11.如申请专利范围第1项之半导体结构,其中该导体是电感器。12.如申请专利范围第11项之半导体结构,其中该导体的第一端子连接至该第一基材信号接合垫,且该导体的第二端子连接至该第一晶方信号接合垫。13.一种半导体结构,包括:一具有一用于承接晶方的顶表面之基材;一图案化于该基材中之导体,该导体包含一电感器,该导体具有一第一端子及一第二端子,各该第一及第二端子位在该基材的该顶表面上,一第一基材信号接合垫是该导体的该第一端子,且一第二基材信号接合垫是该导体的该第二端子;一接合至该基材底表面之印刷电路板;至少一在该基材中之通孔;该至少一通孔在一晶方信号接合垫与该印刷电路板之间提供电连接。14.如申请专利范围第13项之半导体结构,其中该晶方是半导体晶方。15.如申请专利范围第13项之半导体结构,其中该基材包括一有机材料。16.如申请专利范围第13项之半导体结构,其中该基材包括一陶瓷材料。17.如申请专利范围第13项之半导体结构,其中该至少一通孔在该晶方信号接合垫与一岸面之间提供电连接,且该岸面电连接至该印刷电路板。18.如申请专利范围第13项之半导体结构,其中该至少一通孔包括一导热材料。19.如申请专利范围第13项之半导体结构,其中该导体包括在该基材中的复数通孔金属区段。20.如申请专利范围第19项之半导体结构,其中该导体是电感器。21.一种用于承接半导体晶方的半导体结构之制造方法,该方法包括的步骤是:在一基材中钻出一第一孔;以金属充填该第一孔,以形成一第一通孔;将一导体图案化于该基材的顶表面上,该导体包含一电感器,该导体具有一第一端子及一第二端子,各该第一及第二端子位在该基材的该顶表面上,该导体的该第一端子适用于连接至一基材信号接合垫,该第一基材信号接合垫位在该基材的该顶表面上,且该导体的该第二端子适用于连接至一晶方信号接合垫,该第一晶方信号接合垫位在该基材的该顶表面上;将一支撑垫图案化于该基材的顶表面上,且将一散热器图案化于该基材的底表面上,该第一通孔在该散热器与该支撑垫之间提供电连接,该支撑垫适于承接该半导体晶方。22.如申请专利范围第21项之方法,其中该基材包括一有机材料。23.如申请专利范围第21项之方法,其中该基材包括一陶瓷材料。24.如申请专利范围第21项之方法,其中又包括一将该基材的底表面接合至一印刷电路板的步骤。25.如申请专利范围第24项之方法,其中该第一通孔在该晶方信号接合垫与一岸面之间提供电连接,该岸面电连接至该印刷电路板。26.如申请专利范围第21项之方法,其中该第一通孔包括一导热材料。27.如申请专利范围第21项之方法,其中该导体是电感器。28.一种用于承接半导体晶方的半导体结构之制造方法,该方法包括的步骤是:将一导体图案化一基材中,该导体包含一电感器,该导体具有一第一端子及一第二端子,各该第一及第二端子位在该基材的该顶表面上,一第一基材信号接合垫是该导体的该第一端子,且一第二基材信号接合垫是该导体的该第二端子;将一支撑垫图案化于该基材的顶表面上,且将一散热器图案化于该基材的底表面上,一第一通孔在该散热器与该支撑垫之间提供电连接,该支撑垫适于承接该半导体晶方。29.如申请专利范围第28项之方法,其中该基材包括一有机材料。30.如申请专利范围第28项之方法,其中该基材包括一陶瓷材料。31.如申请专利范围第28项之方法,其中又包括一将该基材的底表面接合至一印刷电路板的步骤。32.如申请专利范围第31项之方法,其中该第一通孔在一晶方信号接合垫与一岸面之间提供电连接,该岸面电连接至该印刷电路板。33.如申请专利范围第28项之方法,其中该第一通孔包括一导热材料。34.如申请专利范围第28项之方法,其中该导体包括在该基材中的复数通孔金属区段。35.如申请专利范围第34项之方法,其中该导体是电感器。图式简单说明:图1绘示本发明之一实施例的剖视图。图2A与2B个别绘示在本发明之一实施例中的示范性通孔之顶视图与剖视图。图3绘示本发明之一实施例在「锯切分离」步骤完成以后的顶视图。图4绘示本发明之一贯施例在「锯切分离」步骤完成以后的底视图。图5绘示一示范性过程的流程图,本发明之一实施例藉由该过程而制造。图6绘示本发明之一实施例在「锯切分离」步骤完成以后的底视图。图7绘示一图案化于依据本发明之一实施例的结构之基材顶表面上的电感器。图8绘示一图案化于依据本发明之一实施例的结构之基材中的电感器。
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