发明名称 雷射照射台,雷射照射光学系统,雷射照射装置,雷射照射方法,和半导体装置之制造方法
摘要 当雷射振荡器的输出变得更高,发展用于半导体膜雷射退火处理的更长的线形光束变成必要的。然而,如果线形光束的长度是300-1000mm或更长,那麽用于形成线形光束的光学系统的光路长度变得非常长,从而增加了其占据面积尺寸。本发明缩短了光路长度。为了使光学系统的光路长度尽可能地短,并只增加线形光束的长度,可以在线形光束纵向上提供半导体膜曲率。
申请公布号 TW558861 申请公布日期 2003.10.21
申请号 TW091112812 申请日期 2002.06.12
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 田中幸一郎
分类号 H01S3/18 主分类号 H01S3/18
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种雷射照射台,包含:一表面,其上设置有欲受到光束照射之物体,其中,该光束在单一方向扩层,和其中,该表面在平行于该单一方向之方向上具有曲率。2.如申请专利范围第1项之雷射照射台,其中在相对于光束前进方向的相反方向提供曲率。3.一种雷射照射光学系统,包含:第一机构,用以在一方向扩展光束;以及第二机构,用以提供欲受到在一方向扩展之光束照射之物体一照射表面以使该光束在该方向扩展;其中该照射表面在平行于该方向之方向具有一曲率,和第二机构包含第一表面,其上设置有受到在该方向扩展之光束照射之物体,该第一表面在平行于该方向之方向上具有曲率。4.一种雷射照射光学系统,包含:第一机构,用以在第一方向扩展光束;第二机构,用以在与第一方向正交的第二方向聚集来自该光束的光;以及第三机构,用以提供欲受到在第一方向扩展且在第二方向聚集之光束照射之物体一照射表面以使该光束在第一方向扩展且在第二方向聚集;其中该照射表面在平行于第一方向之方向具有一曲率,和第三机构包含第一表面,其上设置有受到在第一方向扩展且在第二方向聚集之光束照射之物体,该第一表面在平行于第一方向之方向上具有曲率。5.如申请专利范围第4项之雷射照射光学系统,其中第一机构使光束能量分布在第一方向上均匀。6.如申请专利范围第4项之雷射照射光学系统,其中第二机构使光束能量分布在第二方向上均匀。7.如申请专利范围第3项之雷射照射光学系统,其中第一机构包含柱面透镜阵列或柱面透镜。8.如申请专利范围第4项之雷射照射光学系统,其中第一机构包含柱面透镜阵列或柱面透镜。9.如申请专利范围第4项之雷射照射光学系统,其中第二机构包含柱面透镜阵列或柱面透镜。10.如申请专利范围第3项之雷射照射光学系统,其中在相对于光束前进方向相反的方向提供曲率。11.如申请专利范围第4项之雷射照射光学系统,其中在相对于光束前进方向相反的方向提供曲率。12.一种雷射照射装置,包含:一雷射振荡器;第一机构,用以在第一方向扩展发自雷射振荡器的雷射光束;第二机构,用以在与第一方向正交的第二方向聚集雷射光束;以及第三机构,用以提供欲受到在第一方向扩展且在第二方向聚集之光束照射之物体一雷射光束照射表面,且移动该照射表面在相对于雷射光束之第二方向;其中该照射表面在平行于第一方向之方向具有一曲率,和第三机构包含第一表面,其上设置有受到在第一方向扩展且在第二方向聚集之光束照射之物体,该第一表面在平行于第一方向之方向上具有曲率。13.如申请专利范围第12项之雷射照射装置,其中第一机构使雷射光束的能量分布在第一方向上均匀。14.如申请专利范围第12项之雷射照射装置,其中第二机构使雷射光束的能量分布在第二方向均匀。15.如申请专利范围第12项之雷射照射装置,其中第一机构包含柱面透镜阵列或柱面透镜。16.如申请专利范围第12项之雷射照射装置,其中第二机构包含柱面透镜阵列或柱面透镜。17.如申请专利范围第12项之雷射照射装置,其中雷射振荡器是准分子雷射器、YAG雷射器、YVO4雷射器、YLF雷射器、YAlO3雷射器、或玻璃雷射器。18.如申请专利范围第12项之雷射照射装置,其中在相对于雷射光束前进方向相反的方向提供曲率。19.一种雷射照射方法,包含:在第一方向扩展发自雷射振荡器的雷射光束;在与第一方向正交的第二方向聚集雷射光束;以及照射该雷射光束在一物体之表面上,而移动雷射光束相对于物体在第二方向;其中该物体在平行于第一方向之方向具有一曲率,和该表面在平行于第一方向之方向上具有曲率。20.如申请专利范围第19项之雷射照射方法,其中在扩展雷射光束的同时使雷射光束的能量分布在第一方向上均匀。21.如申请专利范围第19项之雷射照射方法,其中在聚集雷射光束的同时使雷射光束的能量分布在第二方向上均匀。22.如申请专利范围第19项之雷射照射方法,其中雷射振荡器是准分子雷射器、YAG雷射器、YVO4雷射器、YLF雷射器、YAlO3雷射器、或玻璃雷射器。23.如申请专利范围第19项之雷射照射方法,其中在关于雷射光束前进方向相反的方向提供曲率。24.一种半导体装置之制造方法,包含:在第一方向扩展发自雷射振荡器的雷射光束;在与第一方向正交的第二方向聚集雷射光束;以及藉由将雷射光束照射到半导体膜上同时相对于半导体膜在第二方向移动,以对设置在一表面上之半导体膜退火;其中该半导体膜在平行于第一方向之方向具有一曲率,和该表面在平行于第一方向之方向上具有曲率。25.如申请专利范围第24项之半导体装置之制造方法,其中在扩展雷射光束的同时使雷射光束的能量分布在第一方向均匀。26.如申请专利范围第24项之半导体装置之制造方法,其中在聚集雷射光束的同时使雷射光束的能量分布在第二方向均匀。27.如申请专利范围第24项之半导体装置之制造方法,其中雷射振荡器是准分子雷射器、YAG雷射器、YVO4雷射器、YLF雷射器、YAlO3雷射器、或玻璃雷射器。28.如申请专利范围第24项之半导体装置之制造方法,其中在相对于雷射光束前进方向相反的方向提供曲率。29.如申请专利范围第24项之半导体装置之制造方法,其中该半导体装置是选自由个人电脑、视频相机、可移动电脑、护目镜型显示器、DVD播放器、CD播放器、前投式投影仪、背投式投影仪、行动电话和携带型电子书所组成之群之一。图式简单说明:图1是说明实施例模式的视图;图2是说明传统光学系统的视图;图3是说明光学系统的视图;图4A和4B是提出线形光束的能量分布的视图;图5A和5B是提出线形光束焦点位置的视图;图6是提出线形光束能量分布的视图;图7A和7B是提出线形光束能量分布的视图;图8A和8B是提出线形光束能量分布的视图;图9是提出聚焦透镜焦距与给予照射表面的曲率半径的关系的图,所述透镜使线形光束在纵向的能量分布更均匀;图10A至10D是提出制造图素TFT和驱动电路TFT的处理的横截面视图;图11A至11C是提出制造图素TFT和驱动电路TFT的处理的横截面视图;图12是提出制造图素TFT和驱动电路TFT的处理的横截面视图;图13是提出图素TFT结构的俯视图;图14是提出制造主动矩阵液晶显示器的处理的横截面视图;图15是发光装置的驱动电路和图素部分的横截面视图;图16A和16B分别是发光装置的俯视图,和发光装置的驱动电路和图素部分的横截面视图。图17A至17F是说明半导体装置实例的视图;图18A至18D是说明半导体装置实例的视图;以及图19A至19C是说明半导体装置实例的视图。
地址 日本