Vertikaler MOSFET mit horizontal abgestufter Kanaldotierung

摘要

Durch eine Schwellenspannungs-Implantation, die einen Maximalwert am Gate aufweist, sowie durch eine Verteilung der Implantationskonzentration, die mit wachsender Entfernung vom Gate rasch abnimmt und ein Plateau mit einer niedrigen P-Wannen-Konzentration erreicht, werden in vertikalen MOSFET-Transistoren sogenannte "body effects" erheblich reduziert und Sperrschichtenleckströme der DRAM-Speicherzellen können verringert werden, während gleichzeitig andere Bauelementparameter unbeeinträchtigt bleiben. In einer bevorzugten Ausführungsform werden zwei Implantate in das zugrunde liegende Substrat eingebracht: ein winklig ausgeführtes Schwellenspannungsimplantat mit einem Maximalwert am Gate und ein lateral gleichmäßiges, niedrig dosiertes Implantat zum Erzeugen der Dotierverteilung in der Wanne.