| 主权项 |
1.一种具有至少一个第一图案(3)的相位移位光罩(1),该第一图案是安置在具有复数个第二图案的二维矩阵中,第二图案在本质上是与该第一图案(3)相同,该第一图案包括:-至少一个第一部分(101),具有i)第一面积,ii)经该光罩(1)辐射而出之电场强度的第一穿透率,iii)第一相位移位,经由第一部分施加到扫过该光罩上的光线,-至少一个第二部分(102,100),具有i)第二面积,ii)经该光罩(1)辐射而出之电场强度的第二穿透率,iii)第二相位移位,经由第二部分施加到扫过该光罩(1)上的光线,该第二相位移位是与该第一相位移位不同,其中:-该第一部分(101)之第一面积乘上该第一穿透率的乘积,在本质上是等于该第二部分(102,100)之第二面积乘上该第二穿透率的乘积,以及-该第一与第二穿透率是互相不同。2.如申请专利范围第1项之相位移位光罩(1),其特征是在于,该第一图案(3)的第三部分(11),对于光线来说并不是透明的。3.如申请专利范围第1或2项之相位移位光罩(1),其特征是在于-该第一部分的第一宽度以及该第二部分的第二宽度,该第一与第二宽度在第一方向上延伸,该第一宽度对第二宽度的比例是不同于1,-该第一部分的第一长度以及该第二部分的第二长度,该第一与第二长度在与该第一方向正交的第二方向上延伸,该第一长度对第二长度的比例是不同于1。4.如申请专利范围第1项之相位移位光罩(1),其特征是在于,该第一图案(3)的每个该部分(101,102,100)都是对称于至少一个轴。5.如申请专利范围第2项之相位移位光罩(1),其特征是在于,该第一图案的每个该部分(101,102,100)都是对称于二个正交轴。6.如申请专利范围第1或2项之相位移位光罩(1),其特征是在于-该第一部分(101)包括正方形,以及-该第二部分(102,100)包括一组四条线,相邻到并包围住该第一部分之正方形的四边。7.如申请专利范围第1或2项之相位移位光罩(1),其特征是在于-该第一部分(101)包括是U形的第一次要图案,-该第二部分(102)包括是U形的第二次要图案,-该U形的开口端是朝向对方,-该第一部分(101)包括第三矩形次要图案,其是被该第二部分的第二次要图案包围住,-该第二部分(102)包括第四矩形次要图案,其是被该第二部分的第一次要图案在三个边上包围住。8.如申请专利范围第1项之相位移位光罩,其特征是在于,该第一与第二穿透率是大于百分之45的辐射光线。图式简单说明:图1显示在投影系统之瞳孔平面中产生绕射阶次,图2显示线-与-空间图案之交替相位移位光罩中的消失零绕射阶次,图3显示依据本发明衰减相位移位光罩之图案投影中的消失零绕射阶次,图4是与其它相位移位光罩比较起来,给衰减相位移位光罩用当作衰减(加上一)之函数的第一绕射阶次振幅之相互关系,图5显示依据本发明第一实施例的相位移位光罩(a),以及投影到晶圆(b)上的结果,图6是与图5的相同,但除了依据本发明的另一图案以外,图7是与图6的相同,但除了有不同的旋转角度显示出半导体晶圆上的频率加倍以外,图8显示依据本发明另一实施例的图案,称作无铬相位移位光罩,图9显示另一实施例的图案,类似于图8,除了衰减的相位移位光罩以外。 |
