| 主权项 |
1.一种防止主动式有机发光二极体元件之阴极产生断裂之方法,包括:提供一基板,其中该基板上已形成有复数个呈阵列排列之薄膜电晶体,且每一该些薄膜电晶体包括形成有一闸极、一通道层、一源极以及一汲极;在该基板上方形成一保护层,覆盖住该些薄膜电晶体;平坦化该保护层;在该保护层中形成一开口,暴露出该汲极;在该保护层上与部分该开口内形成一阳极层;在该基板上方形成一发光层,覆盖该阳极层;以及在该发光层上形成一阴极层。2.如申请专利范围第1项所述之防止主动式有机发光二极体元件之阴极产生断裂之方法,其中该保护层之材质包括介电树脂。3.如申请专利范围第1项所述之防止主动式有机发光二极体元件之阴极产生断裂之方法,其中该阳极层之材质包括铟锡氧化物。4.如申请专利范围第1项所述之防止主动式有机发光二极体元件之阴极产生断裂之方法,其中该发光层之材质包括具有发光特性之一有机化合物。5.一种防止主动式有机发光二极体元件之阴极产生断裂之方法,包括:提供一基板,该基板上已形成有复数个呈阵列排列之薄膜电晶体以及与每一该些薄膜电晶体对应之一阳极层,其中每一该些薄膜电晶体包括一闸极、一通道层、一源极以及一汲极,且该阳极层系与该源极电性连接;在该基板上方形成一图案化之保护层,覆盖住该些薄膜电晶体,暴露出部分该阳极层;在该基板上方形成一图案化之感光材质层,覆盖住该保护层,以填平凹凸不平之该保护层;在该感光材质层与该阳极层上形成一发光层;以及在该发光层上形成一阴极层。6.如申请专利范围第5项所述之防止主动式有机发光二极体元件之阴极产生断裂之方法,其中该保护层之材质包括氮化矽。7.如申请专利范围第5项所述之防止主动式有机发光二极体元件之阴极产生断裂之方法,其中图案化该感光材质层而使用之光罩与图案化该保护层时所使用之光罩系为相同之一光罩。8.如申请专利范围第5项所述之防止主动式有机发光二极体元件之阴极产生断裂之方法,其中该阳极层之材质包括铟锡氧化物。9.如申请专利范围第5项所述之防止主动式有机发光二极体元件之阴极产生断裂之方法,其中该发光层之材质包括具有发光特性之一有机化合物。10.一种防止主动式有机发光二极体元件之阴极产生断裂之方法,其系藉由削缓一薄膜电晶体之一源极/汲极两端之一转角处,藉以改善该主动式有机发光二极体元件之一阴极层产生断裂之情形,该方法包括:在一基板形成一导电层;在该导电层上形成一图案化之光阻层;以该光阻层为罩幕进行一乾式蚀刻制程,以形成该薄膜电晶体之该源极/汲极图案,其中该源极/汲极图案两端之轮廓系呈斜坡状;以及移除该光阻层。11.如申请专利范围第10项所述之防止主动式有机发光二极体元件之阴极产生断裂之方法,其中该乾式蚀刻制程之一反应气体包括SF6与O2之混合气体,且SF6/O2之比例系介于0.5 ~ 1.0之间。12.如申请专利范围第10项所述之防止主动式有机发光二极体元件之阴极产生断裂之方法,其中该乾式蚀刻制程之一反应气体包括Cl2与BCl3之混合气体,且Cl2/BCl3之比例系介于0.4~0.8之间。13.如申请专利范围第10项所述之防止主动式有机发光二极体元件之阴极产生断裂之方法,其中该导电层之材质包括钛/铝/钛堆叠层。14.如申请专利范围第10项所述之防止主动式有机发光二极体元件之阴极产生断裂之方法,其中该导电层之材质包括钼。15.一种防止主动式有机发光二极体元件之阴极产生断裂之方法,其系藉由削缓一薄膜电晶体之一源极/汲极两端之一转角处,藉以改善该主动式有机发光二极体元件之一阴极层产生断裂之情形,该方法包括:在一基板形成一导电层;以及进行一蚀刻制程,以形成该薄膜电晶体之该源极/汲极图案,其中该源极/汲极图案两端之轮廓系呈阶梯状。16.如申请专利范围第15项所述之防止主动式有机发光二极体元件之阴极产生断裂之方法,其中形成该薄膜电晶体之该源极/汲极图案之方法包括:在该导电层上形成一图案化之第一光阻层;以该第一光阻层为罩幕进行一第一蚀刻制程,以移除该导电层之部分厚度;移除该第一光阻层之部分厚度,而形成一第二光阻层;以及以该第二光阻层为罩幕进行一第二蚀刻制程,以形成该源极/汲极图案。17.如申请专利范围第16项所述之防止主动式有机发光二极体元件之阴极产生断裂之方法,其中移除该第一光阻层之部分厚度之方法包括利用一氧气电浆进行一灰化步骤。18.一种防止主动式有机发光二极体元件之阴极产生断裂之方法,其系藉由削缓一薄膜电晶体之一源极/汲极两端之一转角处,藉以改善该主动式有机发光二极体元件之一阴极层产生断裂之情形,该方法包括:在一基板形成一导电层;以及进行一蚀刻制程,以形成该薄膜电晶体之该源极/汲极图案,其中该蚀刻制程之一蚀刻液系为HNO3/H3PO4/CH3COOH,且该蚀刻液中之HNO3之重量比系介于0.1~0.2之间。19.一种防止主动式有机发光二极体元件之阴极产生断裂之方法,包括:提供一基板,其中该基板上已形成有复数个呈阵列排列之薄膜电晶体,且每一该些薄膜电晶体包括形成有一闸极、一通道层、一源极以及一汲极;在该基板上方形成与每一该些薄膜电晶体对应之一阳极层,其中该阳极层系与该源极电性连接;在该基板上方形成一发光层以及一阴极层,覆盖该些薄膜电晶体与该阳极层;以及在该阴极层上形成一修补导电层,藉以修补该阴极层发生断裂之处。20.如申请专利范围第19项所述之防止主动式有机发光二极体元件之阴极产生断裂之方法,其中形成该修补导电层之方法包括溅镀法。21.如申请专利范围第19项所述之防止主动式有机发光二极体元件之阴极产生断裂之方法,其中形成该修补导电层之方法包括先进行一蒸镀步骤,再进行一溅镀步骤。22.如申请专利范围第19项所述之防止主动式有机发光二极体元件之阴极产生断裂之方法,其中形成该修补导电层之方法包括先进行一电子束蒸镀步骤,再进行一溅镀步骤。23.如申请专利范围第19项所述之防止主动式有机发光二极体元件之阴极产生断裂之方法,其中该修补导电层之材质系与该阴极层之材质相同。图式简单说明:第1图为习知一种主动式有机发光二极体元件之结构剖面示意图;第2图是依照本发明第一实施例之主动式有机发光二极体元件之结构剖面示意图;第3图是依照本发明第二实施例之主动式有机发光二极体元件之结构剖面示意图;第4A图至第4C图是依照本发明第三实施例之防止主动式有机发光二极体元件之阴极产生断裂之流程剖面示意图;第5A图至第5D图是依照本发明第三实施例之防止主动式有机发光二极体元件之阴极产生断裂之流程剖面示意图;以及第6A图至第6B图是依照本发明第四实施例之防止主动式有机发光二极体元件之阴极产生断裂之流程剖面示意图。 |
