首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 An insulated gate transistor and the method of manufacturing the same
摘要
申请公布号 EP1067607(A3) 申请公布日期 2003.08.06
申请号 EP20000305417 申请日期 2000.06.28
申请人 FUJI ELECTRIC CO. LTD. 发明人 OTSUKI, MASAHITO
分类号 H01L29/78;H01L21/331;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/739;(IPC1-7):H01L29/739 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com