发明名称 |
Verfahren zur Herstellung niederohmiger Elektroden in Grabenkondensatoren |
摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung niederohmiger Elektroden in Grabenkondensatoren, wobei DOLLAR A ein Wafer bereitgestellt wird, DOLLAR A in den Wafer Gräben eingebracht werden, DOLLAR A der Wafer in eine Elektrolytlösung eingebracht wird, welche ein Salz eines elektrisch leitfähigen Materials enthält, DOLLAR A der Wafer elektrisch kontaktiert wird und eine Spannung zwischen dem Wafer und einer in der Elektrolytlösung angeordneten Gegenelektrode angelegt wird, sodass das elektrisch leitfähige Material zumindest abschnittsweise in den Gräben galvanisch abgeschieden wird. Die galvanische Abscheidung des Elektrodenmaterials ermöglicht eine gleichmäßige Schichtdicke entlang aller Bereiche der Grabenwandung.
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申请公布号 |
DE10162900(C1) |
申请公布日期 |
2003.07.31 |
申请号 |
DE20011062900 |
申请日期 |
2001.12.20 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
SAENGER, ANNETTE;SELL, BERNHARD;BIRNER, ALBERT;GOLDBACH, MATTHIAS |
分类号 |
H01L21/288;H01L21/334;H01L21/8242;H01L27/108;(IPC1-7):H01L21/824 |
主分类号 |
H01L21/288 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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