发明名称 |
有机半导体元件 |
摘要 |
通过将新概念引入常规有机半导体元件的结构,而不使用常规超薄薄膜,提供更可靠和具有更高成品率的有机半导体元件。而且,尤其提高使用有机半导体的光电子器件的效率。在阳极和阴极之间设置有机结构,该有机结构包括交替层叠的通过使SCLC流动实现各种功能的有机薄膜层(功能有机薄膜层),和通过用受主和施主掺杂导电薄膜层,或通过类似的方法充满暗电导率的导电薄膜层(欧姆导电薄膜层)。 |
申请公布号 |
CN1433096A |
申请公布日期 |
2003.07.30 |
申请号 |
CN02151825.4 |
申请日期 |
2002.12.05 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
筒井哲夫;山崎宽子;濑尾哲史 |
分类号 |
H01L51/20;H01L31/04;H05B33/00 |
主分类号 |
H01L51/20 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
吴立明;梁永 |
主权项 |
1、一种有机半导体元件,包括:通过在两个电极之间顺序层叠n个功能有机薄膜层(其中n是等于或大于2的整数)形成的有机结构,n个功能有机薄膜层包括第一至第n个功能有机薄膜层,其中在第k功能有机薄膜层(其中k是1≤k≤(n-1)的整数)和第(k+1)功能有机薄膜层之间形成导电薄膜层,以及其中每一导电薄膜层与每一功能有机薄膜层欧姆接触。 |
地址 |
日本神奈川县 |