| 发明名称 | 利用铝的防止铜扩散膜的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种利用铝的防止铜扩散膜的形成方法。本发明在绝缘体上蒸镀(deposition)薄的铝(Al)膜后，在上述铝膜表面上用NH<SUB>3</SUB>进行等离子体处理(plasmatreatment)，变形为以氮化铝(AlxNy)为基础的氮化膜，在上述氮化膜表面上蒸镀铝(Al)膜，并在蒸镀后的表面膜上蒸镀铜(Cu)。因此，具有以下效果，由抑制铜的扩散，解决了高集成化引起的金属(metal)间的间距(pitch)越减少金属线间的铜扩散等越引起必须考虑的泄漏(leakage)问题。 | ||
| 申请公布号 | CN1430246A | 申请公布日期 | 2003.07.16 |
| 申请号 | CN02128187.4 | 申请日期 | 2002.11.28 |
| 申请人 | 东部电子株式会社 | 发明人 | 李载皙 |
| 分类号 | H01L21/283;H01L21/441 | 主分类号 | H01L21/283 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李贵亮;杨梧 |
| 主权项 | 1、一种利用铝的防止铜扩散膜的方法，通过CMP(chemical mechanicalpolishing：CMP)工序过程形成防止铜(Cu)扩散膜，其特征在于：包括：在绝缘体上蒸镀(deposition)薄的铝(Al)膜的第一阶段；在所述第一铝膜表面上用NH3进行等离子体处理(plasma treatment)，使所述第一铝膜的表面变形为氮化铝(AlxNy)基础的氮化膜的第二阶段；在所述氮化膜表面上蒸镀第二铝(Al)膜的第三阶段；和在所述第二铝(Al)膜表面上蒸镀铜(Cu)的第四阶段。 | ||
| 地址 | 韩国汉城市 | ||