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发明名称 METHOD OF FABRICATING AN OXIDE LAYER ON A SILICON CARBIDE LAYER UTILIZING N2O
摘要
申请公布号 EP1323185(A2) 申请公布日期 2003.07.02
申请号 EP20010977868 申请日期 2001.10.01
申请人 CREE, INC. 发明人 LIPKIN, LORI;DAS, MRINAL, KANTI;PALMOUR, JOHN, W.
分类号 H01L21/316;H01L21/04;H01L29/24;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/28 主分类号 H01L21/316
代理机构 代理人
主权项
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