| 发明名称 | 光存储装置及光存储介质的记录和再现方法 | ||
| 摘要 | 提供了一个校准处理单元，在改变再现磁场强度和再现激光功率的同时，由再现单元执行光存储介质的再现操作，测量可再现状态，并根据测量结果确定再现单元中使用的再现磁场强度和再现激光功率的一组最佳值。校准处理单元在固定再现激光功率的情况下，增大再现磁场强度。当得不到可再现状态时，在逐步增加再现激光功率的同时，重复归因于再现磁场强度的增大的可再现状态的测量。另外也可当交替增大再现磁场强度和再现激光功率时，测量可再现状态。 | ||
| 申请公布号 | CN1112678C | 申请公布日期 | 2003.06.25 |
| 申请号 | CN98117086.2 | 申请日期 | 1998.12.11 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 南彰;难波义幸 |
| 分类号 | G11B7/00 | 主分类号 | G11B7/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种光存储装置，它包括：具有至少一个记录数据的记录层(220)，及一个再现在板上所述记录层中记录的数据的再现层(216)的光存储介质(72)；以小于激光束的光束直径的记录密度把数据记录在所述光存储介质(72)的记录层(220)中的记录单元(20)；通过把再现所需的再现磁场强度和再现激光功率的结合设置成最佳值，从而再现以小于所述光束直径的记录密度记录在所述光存储介质记录层(220)中的数据的再现单元(24)；及在改变所述再现磁场强度和所述再现激光功率的同时，由所述再现单元(24)执行所述光存储介质的再现操作来测量可再现状态，从而根据所述测量确定所述再现单元中使用的再现磁场强度和再现激光功率的一组最佳值的校准处理单元(86)。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||