制备有金属硅化物膜的半导体器件的方法

摘要

为了防止形成在接触孔或通孔中以及掩埋接触孔或通孔的绝缘膜上的厚金属氮化物膜的破裂或剥落，提供容易去除绝缘膜上的不需要金属膜、而同时留下形成在接触孔中的金属硅化物膜的方法。该方法包括以下步骤：用CVD在形成于绝缘膜中的孔中及绝缘膜上淀积钛膜，通过孔底部钛膜与半导体衬底反应形成金属硅化物膜，然后用含卤素的腐蚀气体选择去除金属硅化物膜以外的其它不需要的金属膜。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，在半导体衬底上形成绝缘膜；在所述绝缘膜上形成开口部分，以暴露所述半导体衬底；在所述开口部分和所述绝缘膜上淀积金属膜；通过淀积在所述开口部分的所述金属膜与所述半导体衬底反应形成金属硅化物膜；用含卤素的腐蚀气体选择去除所述金属硅化物膜以外的其它金属膜，其特征在于：所述金属膜为钛膜，所述金属硅化物膜为硅化钛膜。