REMOVAL OF PHOTORESIST AND PHOTORESIST RESIDUE FROM SEMICONDUCTORS USING SUPERCRITICAL CARBON DIOXIDE PROCESS,申请号EP20000954102-传众专利搜索

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发明名称	REMOVAL OF PHOTORESIST AND PHOTORESIST RESIDUE FROM SEMICONDUCTORS USING SUPERCRITICAL CARBON DIOXIDE PROCESS
摘要
申请公布号	EP1309990(A1)	申请公布日期	2003.05.14
申请号	EP20000954102	申请日期	2000.08.14
申请人	TOKYO ELECTRON LIMITED	发明人	MULLEE, WILLIAM, H.
分类号	B08B7/00;G03F7/42;H01L21/02;H01L21/027;H01L21/304;H01L21/306;H01L21/311;H01L21/3213;(IPC1-7):H01L21/311;H01L21/321	主分类号	B08B7/00
代理机构		代理人
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