METHOD FOR PRODUCING AN INTEGRATED CIRCUIT COMPRISING A CONDUCTIVE STRUCTURE ARRANGED ON A DIELECTRIC

摘要

Um eine integrierte Schaltung mit einer leitfähigen Struktur herzustellen, die auf einem Dielektrikum mit einer Dicke von mehr als 10 mu m angeordnet ist, wird in einen vorprozessierten Halbleiterwafer (7) mit einer integrierten Schaltung (4) eine Grube (3) mit einer Tiefe von mehr als 10 mu m geätzt, die dann mittels eines Niedertemperaturprozesses mit Dielektrikum (2) verfüllt wird. Anschliessend wird das Dielektrikum (2) planarisiert, bevor in einem abschliessenden Herstellungsschritt eine strukturierte Metallisierung erzeugt wird, die eine leitfähige Struktur (1) auf dem Dielektrikum (2) und einen Anschluss (6) der leitfähigen Struktur (1) an einem Anschluss der integrierten Schaltung (4) aufweist.