| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种在具有STI的半导体装置中使用的沟槽内壁的平面和平面边界及边、角或者角落的交界等的周边部分上没有应力集中，在交界部分上结晶缺陷难以发生的半导体装置。本发明半导体装置100，包含具有形成元件的基板表面12的半导体基板10；电气分离在基板表面中形成元件的元件区域和其他区域的沟槽60；其中，位于沟槽侧面62和底面64间的交界部分80，被形成具有80nm以上的曲率半径的曲面形状。 | ||
| 申请公布号 | CN1411048A | 申请公布日期 | 2003.04.16 |
| 申请号 | CN02143342.9 | 申请日期 | 2002.09.26 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 園田真久;田弘昭;坂上栄人;金高秀海;松崎憲二;松本孝典 |
| 分类号 | H01L21/76;H01L21/302 | 主分类号 | H01L21/76 |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 李峥;陈海红 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于，包括：具有形成元件的基板表面的半导体基板；具有与上述基板表面相对的相对面，用栅绝缘膜和上述半导体基板电气绝缘的栅电极；以及形成贯通上述栅电极到达上述半导体基板的，电气分离在上述基板表面中形成元件的元件区域和其他区域的沟槽；其中，位于上述沟槽的侧面和上述沟槽的底面之间的交界部分，形成具有80nm以上曲率半径的曲面形状。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||