| 主权项 |
1.一种电光学装置,包含:一基底;一薄膜电晶体形成在基底上,该薄膜电晶体包含至少一结晶半导体膜和一闸电极接近该结晶半导体膜,其间插入一闸绝缘膜;第一绝缘膜包含矽,氮,和氧形成在至少结晶半导体膜和闸电极上方;一位准膜形成在第一绝缘膜上方;第二绝缘膜包含氮化矽形成在位准膜上;和一发光元件包含一有机化合物层形成在第二绝缘膜上。2.如申请专利范围第1项之电光学装置,其中一底膜形成在基底和薄膜电晶体间。3.如申请专利范围第1项之电光学装置,其中该发光元件包含一阳极,一阴极,和有机化合物层。4.如申请专利范围第1项之电光学装置,其中第二绝缘膜以一选自由氧化矽,氮化矽,和氮氧化矽所组成之群之层而设置成叠层构造。5.如申请专利范围第1项之电光学装置,其中该位准膜包含之材料选自由聚醯胺,聚醯亚胺,丙烯酸,和苯并环丁烷所组成之群之一。6.如申请专利范围第1项之电光学装置,其中第三绝缘膜形成在发光元件上,且包含一材料选自由氮化铝,碳化矽,氮化矽,氮化硼,磷酸硼和氧化铝所组成之群之一。7.如申请专利范围第6项之电光学装置,其中第三绝缘膜以一选自由氧化矽,氮化矽,和氮氧化矽所组成之群之层而设置成叠层构造。8.一种电光学装置,包含:一基底;一薄膜电晶体形成在基底上,该薄膜电晶体包含至少一结晶半导体膜和一闸电极接近该结晶半导体膜,其间插入一闸绝缘膜;第一绝缘膜包含矽,氮,和氧形成在至少结晶半导体膜和闸电极上方;一位准膜形成在第一绝缘膜上方;第二绝缘膜包含氮化铝形成在位准膜上;和一发光元件包含一有机化合物层形成在第二绝缘膜上。9.如申请专利范围第8项之电光学装置,其中一底膜形成在基底和薄膜电晶体间。10.如申请专利范围第8项之电光学装置,其中该发光元件包含一阳极,一阴极,和有机化合物层。11.如申请专利范围第8项之电光学装置,其中第二绝缘膜以一选自由氧化矽,氮化矽,和氮氧化矽所组成之群之层而设置成叠层构造。12.如申请专利范围第8项之电光学装置,其中该位准膜包含之材料选自由聚醯胺,聚醯亚胺,丙烯酸,和苯并环丁烷所组成之群之一。13.如申请专利范围第8项之电光学装置,其中第三绝缘膜形成在发光元件上,且包含一材料选自由氮化铝,碳化矽,氮化矽,氮化硼,磷酸硼和氧化铝所组成之群之一。14.如申请专利范围第13项之电光学装置,其中第三绝缘膜以一选自由氧化矽,氮化矽,和氮氧化矽所组成之群之层而设置成叠层构造。15.一种电光学装置,包含:一基底;一薄膜电晶体形成在基底上,该薄膜电晶体包含至少一结晶半导体膜和一闸电极接近该结晶半导体膜,其间插入一闸绝缘膜;第一绝缘膜形成在至少结晶半导体膜和闸电极上方;一位准膜形成在第一绝缘膜上方;第二绝缘膜包含氮化铝形成在位准膜上;和一发光元件包含一有机化合物层形成在第二绝缘膜上。16.如申请专利范围第15项之电光学装置,其中一底膜形成在基底和薄膜电晶体间。17.如申请专利范围第15项之电光学装置,其中该发光元件包含一阳极,一阴极,和有机化合物层。18.如申请专利范围第15项之电光学装置,其中该位准膜包含之材料选自由聚醯胺,聚醯亚胺,丙烯酸,和苯并环丁烷所组成之群之一。19.如申请专利范围第15项之电光学装置,其中第三绝缘膜形成在发光元件上方,且包含氮化铝。20.如申请专利范围第17项之电光学装置,其中第三绝缘膜以一选自由氧化矽,氮化矽,和氮氧化矽所组成之群之层而设置成叠层构造。21.如申请专利范围第15项之电光学装置,其中第一绝缘膜包含矽,氮,和氧。22.如申请专利范围第15项之电光学装置,其中第一绝缘膜包含一材料选自由氮化铝,碳化矽,氮化矽,氮化硼,磷酸硼和氧化铝所组成之群之一。23.如申请专利范围第22项之电光学装置,其中第一绝缘膜以一选自由氧化矽,氮化矽,和氮氧化矽所组成之群之层而设置成叠层构造。24.一种电光学装置,包含:一基底;一薄膜电晶体形成在基底上,该薄膜电晶体包含至少一结晶半导体膜和一闸电极接近该结晶半导体膜,其间插入一闸绝缘膜;第一绝缘膜形成在至少结晶半导体膜和闸电极上方;一位准膜形成在第一绝缘膜上方;第二绝缘膜包含氮化矽形成在位准膜上;和一发光元件包含一有机化合物层形成在第二绝缘膜上。25.如申请专利范围第24项之电光学装置,其中一底膜形成在基底和薄膜电晶体间。26.如申请专利范围第24项之电光学装置,其中该发光元件包含一阳极,一阴极,和有机化合物层。27.如申请专利范围第24项之电光学装置,其中该位准膜包含之材料选自由聚醯胺,聚醯亚胺,丙烯酸,和苯并环丁烷所组成之群之一。28.如申请专利范围第24项之电光学装置,其中第三绝缘膜形成在发光元件上方,且包含氮化矽。29.如申请专利范围第28项之电光学装置,其中第三绝缘膜以一选自由氧化矽,氮化矽,和氮氧化矽所组成之群之层而设置成叠层构造。30.如申请专利范围第24项之电光学装置,其中第一绝缘膜包含矽,氮,和氧。31.如申请专利范围第24项之电光学装置,其中第一绝缘膜包含一材料选自由氮化铝,碳化矽,氮化矽,氮化硼,磷酸硼和氧化铝所组成之群之一。32.如申请专利范围第31项之电光学装置,其中第一绝缘膜以一选自由氧化矽,氮化矽,和氮氧化矽所组成之群之层而设置成叠层构造。33.一种电光学装置,包含:一基底;一薄膜电晶体形成在基底上,该薄膜电晶体包含至少一结晶半导体膜和一闸电极接近该结晶半导体膜,其间插入一闸绝缘膜;第一绝缘膜形成在至少结晶半导体膜和闸电极上方;一位准膜形成在第一绝缘膜上方;第二绝缘膜形成在位准膜上;和一发光元件包含一有机化合物层形成在第二绝缘膜上,其中至少第一和第二绝缘膜之一包含一材料选自由氮化铝,碳化矽,氮化矽,氮化硼,磷酸硼和氧化铝所组成之群之一。34.如申请专利范围第33项之电光学装置,其中一底膜形成在基底和薄膜电晶体间。35.如申请专利范围第33项之电光学装置,其中该发光元件包含一阳极,一阴极,和有机化合物层。36.如申请专利范围第33项之电光学装置,其中至少第一和第二绝缘膜之一以一选自由氧化矽,氮化矽,和氮氧化矽所组成之群之层而设置成叠层构造。37.一种电光学装置,包含:一基底;一薄膜电晶体形成在基底上,该薄膜电晶体包含至少一结晶半导体膜和一闸电极接近该结晶半导体膜,其间插入一闸绝缘膜;第一绝缘膜形成在至少结晶半导体膜和闸电极上方;一位准膜形成在第一绝缘膜上方;第二绝缘膜形成在位准膜上;一发光元件包含一有机化合物层形成在第二绝缘膜上:和第三绝缘膜形成在发光元件上,其中至少第一,第二和第三绝缘膜之一包含一材料选自由氮化铝,碳化矽,氮化矽,氮化硼,磷酸硼和氧化铝所组成之群之一。38.如申请专利范围第37项之电光学装置,其中一底膜形成在基底和薄膜电晶体间。39.如申请专利范围第37项之电光学装置,其中该发光元件包含一阳极,一阴极,和有机化合物层。40.如申请专利范围第37项之电光学装置,其中至少第一,第二和第三绝缘膜之一以一选自由氧化矽,氮化矽,和氮氧化矽所组成之群之层而设置成叠层构造。图式简单说明:图1为EL显示装置之图素部份之横截面构造图;图2A和2B分别为EL显示装置之图素部份之顶视图和组成图;图3A至3E为主动矩阵型EL显示装置之制造方法之图;图4A至4D为主动矩阵型EL显示装置之制造方法之图;图5A至5C为主动矩阵型EL显示装置之制造方法之图;图6为EL模组之外视图;图7为EL显示装置之电路方块构造图;图8为EL显示装置之图素部份之扩大图;图9为EL显示装置之取样电路之元件构造图;图10为EL显示装置之图素部份之组成图;图11为EL显示装置之横截面构造图;图12A和12B分别为EL显示装置之图素部份之顶视图和组成图;图13为EL显示装置之图素部份之横截面构造图;图14为EL显示装置之图素部份之横截面构造图;图15A和15B分别为EL显示装置之图素部份之顶视图和组成图;图16A至16F为电子设备之特殊例图;图17A和17B为EL模组之外视图;图18A至18C为接触构造之制造方法图;图19为EL层之叠层构造之图;图20A和20B为电子设备之特殊例图;图21A和21B为EL显示装置之图素部份之电路组成之图;图22A和22B为EL显示装置之图素部份之电路组成之图;和图23为EL显示装置之图素部份之横截面构造图。 |
