| 主权项 |
1.一种具多次照射步骤之微影制程,其包括:提供一晶圆,其中一光阻系形成于该晶圆上;对齐地置放一光罩于该晶圆上方一预定位置上;经由该光罩,依序执行多次照射步骤于该光阻上,该每一照射步骤之一个别照射条件相应该光罩之一占空率(duty ratio)系最佳化,藉此获致从该光罩上转移至该光阻之一最佳化全间隙(through-pitch)图案转移;及执行一显影步骤于该光阻上。2.如申请专利范围第1项所述之微影制程,其中上述之多次照射步骤系以一照射装置执行。3.如申请专利范围第2项所述之微影制程,其中上述之个别照射条件之照射参数系包括该照射装置之数値孔径(NA)、sigma値、焦距及光瞳型态。4.如申请专利范围第1项所述之微影制程,其中上述之多次照射步骤之照射波长系选自:I-线、深紫外光、极短紫外光、X-射线及离子投影微影(ion projection lithography)。5.如申请专利范围第2项所述之微影制程,其中上述之多次照射步骤之照射波长系选自:I-线、深紫外光、极短紫外光、X-射线及离子投影微影(ion projection lithography)。6.一种具二次照射步骤之微影制程,其包括:提供一晶圆,其中一光阻系形成于该晶圆上;对齐地置放一光罩于该晶圆上方一预定位置上,该光罩具有一密集线图案及一孤立线图案;经由该光罩,以一第一照射条件执行一第一照射步骤于该光阻上,该第一照射条件相应该密集线图案之转移为最佳化;经由该光罩,以一第二照射条件执行一第二照射步骤于该光阻上,该第二照射条件相应该孤立线图案之转移为最佳化;及执行一显影步骤于该光阻上。7.如申请专利范围第6项所述之微影制程,其中上述之第一照射步骤与第二照射步骤系以一照射装置执行。8.如申请专利范围第7项所述之微影制程,其中上述之第一照射条件之照射参数系包括该照射装置之数値孔径(NA)、sigma値、焦距及光瞳型态。9.如申请专利范围第7项所述之微影制程,其中上述之第二照射条件之照射参数系包括该照射装置之数値孔径(NA)、sigma値、焦距及光瞳型态。10.如申请专利范围第6项所述之微影制程,其中上述之第一照射条件包括偏轴发光方式。11.如申请专利范围第7项所述之微影制程,其中上述之第一照射条件包括偏轴发光方式。12.如申请专利范围第7项所述之微影制程,其中上述之第一照射条件包括该照射装置之一sigma値不小于0.85。13.如申请专利范围第7项所述之微影制程,其中上述之第二照射条件包括该照射装置之一sigma値不大于0.35。14.如申请专利范围第7项所述之微影制程,其中上述之第一照射条件包括偏轴发光方式及该第二照射条件包括该照射装置之一sigma値不大于0.35。15.如申请专利范围第7项所述之微影制程,其中上述之第一照射条件包括该照射装置之一sigma値不小于0.85及该第二照射条件包括该照射装置之一sigma値不大于0.35。16.如申请专利范围第6项所述之微影制程,其中上述之第一照射步骤及第二照射步骤之照射波长系选自:I-线、深紫外光、极短紫外光、X-射线及离子投影微影(ionprojection lithography)。17.如申请专利范围第7项所述之微影制程,其中上述之第一照射步骤及第二照射步骤之照射波长系选自:I-线、深紫外光、极短紫外光、X-射线及离子投影微影(ion projectionlithography)。18.一种具二次照射步骤之微影制程,其包括:提供一晶圆,其中一光阻系形成于该晶圆上;对齐地置放一光罩于该晶圆上方一预定位置上,该光罩具有一密集线图案及一孤立线图案;经由该光罩,以一第一照射条件执行一第一照射步骤于该光阻上,该第一照射条件相应该孤立线图案之转移为最佳化;经由该光罩,以一第二照射条件执行一第二照射步骤于该光阻上,该第二照射条件相应该密集线图案之转移为最佳化;及执行一显影步骤于该光阻上。19.如申请专利范围第18项所述之微影制程,其中上述之第一照射步骤及第二照射步骤系以一照射装置执行。20.如申请专利范围第19项所述之微影制程,其中上述之第一照射条件之照射参数系包括该照射装置之数値孔径(NA)、sigma値、焦距及光瞳型态。21.如申请专利范围第19项所述之微影制程,其中上述之第二照射条件之照射参数系包括该照射装置之数値孔径(NA)、sigma値、焦距及光瞳型态。22.如申请专利范围第18项所述之微影制程,其中上述之第二照射条件包括偏轴发光方式。23.如申请专利范围第19项所述之微影制程,其中上述之第二照射条件包括偏轴发光方式。24.如申请专利范围第19项所述之微影制程,其中上述之第二照射条件包括该照射装置之一sigma値不小于0.85。25.如申请专利范围第19项所述之微影制程,其中上述之第一照射条件包括该照射装置之一sigma値不大于0.35。26.如申请专利范围第19项所述之微影制程,其中上述之第一照射条件包括该照射装置之一sigma値不大于0.35及该第二照射条件包括偏轴发光方式。27.如申请专利范围第19项所述之微影制程,其中上述之第一照射条件包括该照射装置之一sigma値不大于0.35及该第二照射条件包括该照射装置之一sigma値不小于0.85。28.如申请专利范围第18项所述之微影制程,其中上述之第一照射步骤及第二照射步骤之照射波长系选自:I-线、深紫外光、极短紫外光、X-射线及离子投影微影(ion projection lithography)。29.如申请专利范围第19项所述之微影制程,其中上述之第一照射步骤及第二照射步骤之照射波长系选自:I-线、深紫外光、极短紫外光、X-射线及离子投影微影(ionprojection lithography)。图式简单说明:第一图系一传统投影式照射装置之简单示意图;第二A图至第二C图系照射条件分别为低sigma値、中间sigma値及高sigma値下,使用传统微影制程所获得分别相应密集线图案与孤立线图案之关键尺寸相对照射装置之焦距之关系图;第三图系本发明微影制程之流程图;第四A图系本发明第一具体实施例中关键尺寸相对照射装置之焦距之关系图;及第四B图系本发明第二具体实施例中关键尺寸相对照射装置之焦距之关系图。 |
