发明名称 | 处理薄晶体硅片和晶体硅太阳能电池的方法 | ||
摘要 | 晶体硅的半导体片和由此片制造的元件,例如,太阳能电池,因为材料的易碎性,使其增加破裂的危险,为了保证可靠的处理,要求有一最小厚度。为了改善处理,提供具有大面积机构保护层的半导体片,接着对此半导体片进行成形处理。 | ||
申请公布号 | CN1104039C | 申请公布日期 | 2003.03.26 |
申请号 | CN95120318.5 | 申请日期 | 1995.10.27 |
申请人 | 西门子与壳牌太阳有限公司 | 发明人 | A·恩德罗斯;K·-H·艾森里思;G·马丁奈利 |
分类号 | H01L21/304;H01L31/18 | 主分类号 | H01L21/304 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;叶恺东 |
主权项 | 1.一种加工薄半导体硅片的方法,其包括下列步骤:提供其表面具有机械保护层的半导体硅片;和加工其上具有所述机械保护层的所述半导体硅片,以便使所述半导体硅片具有选定的形状,其中所述加工工艺包括从切割、锯、冲孔、一维弯折中选择的一种加工步骤。 | ||
地址 | 联邦德国慕尼黑 |