发明名称 处理薄晶体硅片和晶体硅太阳能电池的方法
摘要 晶体硅的半导体片和由此片制造的元件,例如,太阳能电池,因为材料的易碎性,使其增加破裂的危险,为了保证可靠的处理,要求有一最小厚度。为了改善处理,提供具有大面积机构保护层的半导体片,接着对此半导体片进行成形处理。
申请公布号 CN1104039C 申请公布日期 2003.03.26
申请号 CN95120318.5 申请日期 1995.10.27
申请人 西门子与壳牌太阳有限公司 发明人 A·恩德罗斯;K·-H·艾森里思;G·马丁奈利
分类号 H01L21/304;H01L31/18 主分类号 H01L21/304
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 马铁良;叶恺东
主权项 1.一种加工薄半导体硅片的方法,其包括下列步骤:提供其表面具有机械保护层的半导体硅片;和加工其上具有所述机械保护层的所述半导体硅片,以便使所述半导体硅片具有选定的形状,其中所述加工工艺包括从切割、锯、冲孔、一维弯折中选择的一种加工步骤。
地址 联邦德国慕尼黑