| 发明名称 | 氮化物只读存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种氮化物只读存储器(Nitride Read OnlyMemory；NROM)的制造方法。本发明的方法在制造NROM单元时，先形成一层或多层的隔离层覆盖氧化硅/氮化硅/氧化硅(Oxide－Nitride－Oxide；ONO)结构与栅极，再形成氮化硅(SiN<SUB>x</SUB>)间隙壁(Spacer)，来保护NROM单元。由于氮化硅间隙壁若直接与栅极接触，会导致NROM组件的阈值电压(Threshold Voltage)升高，因此本发明利用一层或多层由氧化硅(SiO<SUB>y</SUB>)所构成的隔离层，隔离NROM组件及氮化硅间隙壁。不仅可保护NROM组件，且可避免使用氮化硅间隙壁所造成的副作用及组件之间产生泄漏电流(Leakage Current)。 | ||
| 申请公布号 | CN1399331A | 申请公布日期 | 2003.02.26 |
| 申请号 | CN01123714.7 | 申请日期 | 2001.07.27 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 宋建龙 |
| 分类号 | H01L21/8246;H01L27/112 | 主分类号 | H01L21/8246 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵蓉民 |
| 主权项 | 1.一种氮化物只读存储器的制造方法，至少包括：提供一基材，其中该基材上形成有一氧化硅/氮化硅/氧化硅结构；形成一栅极覆盖该氧化硅/氮化硅/氧化硅结构的一部分；形成一隔离层覆盖该栅极与该氧化硅/氮化硅/氧化硅结构的另一部分；形成一间隙壁，其中该间隙壁位于该隔离层的侧壁；以及形成一绝缘层覆盖该基材、该间隙壁、以及该隔离层。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||