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Die vorliegende Erfindung offenbart Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelementes. In einer Ausführungsform wird eine leitende Verbindung auf einem Halbleitersubstrat gebildet, um mit einem maskierenden Isolationsschichtmuster zu überlappen. Ein Isolationsschichtspacer wird an Seitenwänden des Musters gebildet, eine Hochtemperaturoxidschicht wird auf der resultierenden Struktur gebildet, und eine Zwischenschichtisolationsschicht wird auf dem HTO-Film gebildet, um die Oberfläche der resultierenden Struktur einzuebnen. Speicherelektroden- und Bitleitungskontaktlöcher werden gebildet, um das Halbleitersubstrat zu exponieren, durch Ätzen der Zwischenschichtisolationsschicht gemäß einem eine Kontaktmaske verwendenden photolithografischen Prozess. Ein Füllpolyanschluss wird gebildet durch Abscheiden einer leitenden Schicht für einen Kontaktanschluss, um die Kontaktlöcher aufzufüllen. Ein erster CMP-Prozess zum Ätzen der leitenden Schicht und der Zwischenschichtisolationsschicht um eine vorbestimmte Dicke wird unter Verwendung einer basischen Masse ausgeführt, und ein zweiter CMP-Prozess des Polierens der leitenden Schicht für einen Kontaktanschluss und der Zwischenschichtisolationsschicht unter Verwendung einer sauren Masse wird ausgeführt, um den oberen Abschnitt des maskierenden Isolationsschichtmusters zu exponieren, um somit den Kontaktanschluss zu bilden.
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