| 主权项 |
1.一种流体输送模组,用来制备一基板,该流体输送模组包含:一加工钵,设计用来容纳一待制备基板,该加工钵具有一底盘以及一侧壁;一流体输送环,被配置为装设在该加工钵的侧壁,该流体输送环包含,复数入口和出口对,界定在该流体输送环内,各个该复数入口和出口对,被设计用来承接一各别的供应管,每个该各别的供应管具有一端终止于该流体输送环之各个出口,以及配置为导引流体至该基板的一表面上。2.如申请专利范围第1项之流体输送模组,其中该加工钵的侧壁更包含:复数通道,其数量与该供应管相等,以使该供应管通过各复数通道而进给,其在该流体输送环中引导至该复数入口和出口对。3.如申请专利范围第1项之流体输送模组,其中该各别供应管之各端,全指向于一个由该流体输送环所界定的中心区,该中心区界定出该基板的一个位置。4.如申请专利范围第3项之流体输送模组,其中该流体输送环更包含:复数沟槽,界定在该各个入口和出口对的一位置上,该各个沟槽被配置来界定该各别供应管之一路径。5.如申请专利范围第3项之流体输送模组,其中该流体输送环、该加工钵、以及该各别的供应管各由一化学惰性物质所界定。6.如申请专利范围第3项之流体输送模组,其中该流体输送环具有一个三角形横剖面形状。7.如申请专利范围第6项之流体输送模组,其中该入口和出口对是界定在该三角形横剖面形状之相对顶角上,以及该入口和出口对的出口,是围绕着最接近该中心区的一个顶角来界定。8.如申请专利范围第7项之流体输送模组,其中该流体输送环的该出口对,是围绕着该流体输送环的一环直径而界定,该环直径大于一该基板直径。9.如申请专利范围第1项之流体输送模组,其中该加工钵,被配置来封闭一个用以支撑以及旋转该基板的夹头。10.如申请专利范围第9项之流体输送模组,其中该夹头,被配置为固定在一高度以及该加工钵被配置于一第一位置与一第二位置之间移动。11.如申请专利范围第2项之流体输送模组,更包含:一各别的密封块,被配置为将该供应管固定于该加工钵侧壁的各个通道中。12.如申请专利范围第1项之流体输送模组,其中,流体是从DI水、化学物质、以及气体中所选择的一种或多种,其各被配置为供应到该基板的一表面,使制备得以进行。13.如申请专利范围第1项之流体输送模组,其中该基板是一个半导体晶圆。14.一种流体输送环的制造方法,该方法包含:产生一个实体环,其具有一侧表面、一上表面以及一下表面;形成复数沟槽成为该实体环的下表面,各复数沟槽延伸进入该实体环并且界定出接近于该侧表面的一侧壁以及接近于该上表面的一上壁;以及产生入口孔和出口孔于该各复数沟槽处,该入口孔是界定成该侧壁与该上表面的一交接处,以及该出口孔是界定成该上壁与该下表面的一交接处;其中该各个分别的入口孔,出口孔和沟槽被配置来界定出路径作为承接供应管以输送流体至该流体输送环中的一个区域。15.如申请专利范围第14项之流体输送环的制造方法,更包含:由一化学惰性物质界定该实体环以及该供应管。16.如申请专利范围第14项之流体输送环的制造方法,其中该上表面是一斜向下的表面,其界定了该流体输送环所供应之流体的一输送凸部。17.如申请专利范围第14项之流体输送环的制造方法,其中该出口孔被安排在,该流体输送环之该上表面与该下表面交接处的一环方位上,以使该环的直径大于该待制备基板的直径。18.一种半导体晶圆的清洗方法,系在一利用一流体输送环的模组中清洗该半导体晶圆,该方法包含:提供一加工钵,其具有一通常圆形的底盘,一从底盘向上延伸的侧壁,用以界定一个圆柱形腔室,以及复数在该侧壁内自该底盘延伸至该侧壁一上缘的通道;装设一流体输送环至该加工钵侧壁上;安插复数供应管至具有复数环入口以及环出口对、以及复数各别沟槽的该流体输送环内,俾该加工钵有所作用;输送流体至该供应管;以及引导流体至界定于该加工钵内之一半导体晶圆的一表面上。19.如申请专利范围第18项之半导体晶圆的清洗方法,更包含:提供一加工室,其具有一上端与一下端,以及形成于其中之一晶圆入口,该下端被配置来封闭该加工钵周围。20.如申请专利范围第18项之半导体晶圆的清洗方法,其中该安插复数供应管至流体输送环内,俾该加工钵有所作用,包含:安插该各个分别的供应管进给至该各个分别的通道;以及利用该沟槽,进给该各个分别的供应管进入该各个分别的入口和出口对。21.如申请专利范围第18项之半导体晶圆的清洗方法,更包含:提供一夹头于该加工钵内,该夹头被配置来支撑以及旋转该半导体晶圆;以及提供复数密封块,该各个密封块被配置来固定该供应管于该加工钵侧壁的该各别通道内。22.一种流体输送环,用于一基板旋转模组中,该流体输送环被配置为装设于一加工钵的一侧壁上,该流体输送环包含:复数入口以及出口对,界定在该流体输送环内,该各复数入口和出口对被设计来承接一各别供应管,每个该各别的供应管具有一端终止于该流体输送环的各个出口以及被配置为导引流体至该基板的一表面上。23.如申请专利范围第22项之流体输送环,其中该各别的供应管被配置来以一中心区的全方向输送流体至该基板的一表面上,中心区是该待制备基板的一个位置。24.如申请专利范围第22项之流体输送环,其中该流体输送环、该加工钵、以及该各别的供应管各由一化学惰性物质所界定。25.如申请专利范围第22项之流体输送环,其中该流体输送环的出口是围绕着该流体输送环之一环直径所界定,该环直径大于一该待制备基板直径。26.一种流体输送环,用于一基板清洗模组中,该流体输送环包含:一三角形结构,其具有一侧壁、一下表面以及一通常圆形的顶墙;复数入口及出口对,该入口界定在该侧壁与该下表面之间以及该出口界定在该下表面与该顶墙之间,该各个入口以及出口对被配置来承接以及固定复数各别的供应管,其中每个该各别的供应管被配置为终止于该各别出口以及用来输送流体至一待制备基板的一表面上。27.如申请专利范围第26项之流体输送环,其中该流体输送环是由一化学惰性物质所构成。28.如申请专利范围第26项之流体输送环,其中该入口以及出口对是,对称性地各别界定在该侧墙和该下表面之间、以及该顶墙和该下表面之间。29.如申请专利范围第26项之流体输送环,更包含:复数界定在该三角结构中的沟槽,该各别的沟槽界定于该各个入口与出口对之间以及在该三角结构的下表面上。图式简单说明:图1显示一个典型先前技术的旋转、清洗、以及乾燥(SRD)模组。图2A是依据本发明一实施例之,一种SRD模组的一个简示横剖面图,其中该SRD加工钵被界定在一下位点。图2B是依据本发明中另一实施例,图2A中所示知该SRD模组的一个简示横剖面图,其中该SRD加工钵被界定在一上位点。图3A是依据本发明另一实施例之,一个具有复数沟槽的流体输送环的一个放大的简示横剖面图。图3B是依据本发明实施例一实施样态之,一个具有一导引通道的流体输送环的一个放大的简示横剖面图。图3C是依据本发明另一实施样态之,一个使用一连续供应管的SRD模组的一个放大的局部横剖面图。图4A是依据本发明另一实施样态之,一个具有复数环入口,以及复数相应环出口,以及复数相应沟槽的流体输送环之三维视图。图4B是依据本发明另一实施样态之,一个流体输送环的一上视图。图4C是依据本发明另一实施例之,一个流体输送环的简示横剖面图。图4D-1是依据本发明另一实施例之,一个流体输送环的局部三维视图,图示该流体输送环之数个中空孔穴、沟槽其中之一。图4D-2是依据本发明另一实施样态,图4D-1沟槽的一个三维视图,描绘出该流体输送环中的一个可移动容积。 |
