| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung selbstjustierender Maskenschicht mit den Schritten: Ausbilden einer zu maskierenden Oberfläche (O) in einem Trägersubstrat, wobei die Oberfläche (O) unterschiedliche Krümmungsradien (Rmin, Rmax) aufweist, Ausbilden einer unverdichteten konformalen Isolationsschicht (SM) auf der Oberfläche (O) derart, dass sich auf Grund der unterschiedlichen Krümmungsradien Bereiche (H, L) mit unterschiedlicher mechanischer Beanspruchung in der Isolationsschicht (SM) ergeben, und Durchführen einer Rückätzung zum Entfernen von Teilbereichen der Isolationsschicht (SM) in Abhängigkeit von der unterschiedlichen mechanischen Beanspruchung in der Isolationsschicht (SM). <IMAGE></p> |
