发明名称 Verfahren zur Herstellung III-V Verbindungshalbleiterkristallen
摘要
申请公布号 DE69717531(D1) 申请公布日期 2003.01.16
申请号 DE19976017531 申请日期 1997.04.24
申请人 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 发明人 KAWASE, TOMOHIRO;TATSUMI, MASAMI
分类号 C30B11/00;C30B29/40;C30B29/42;(IPC1-7):C30B11/00 主分类号 C30B11/00
代理机构 代理人
主权项
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