Vorrichtung zum Entwerfen von integrierten Halbleiterschaltungen und Verdrahtungssteuerungsverfahren für dieselbe,申请号DE20001004599-传众专利搜索

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发明名称	Vorrichtung zum Entwerfen von integrierten Halbleiterschaltungen und Verdrahtungssteuerungsverfahren für dieselbe
摘要
申请公布号	DE10004599(C2)	申请公布日期	2002.11.28
申请号	DE20001004599	申请日期	2000.02.03
申请人	NEC CORP., TOKIO/TOKYO	发明人	ASAO, KAZUO
分类号	H01L21/82;G06F17/50;(IPC1-7):H01L21/768	主分类号	H01L21/82
代理机构		代理人
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