发明名称 全氟化碳之制法
摘要 [课题]一种由有机化合物与氟气体以工业安全地及有效率地制造全氟化碳之方法。[解决手段]氢氟化碳与氟气体在汽相中反应,并将所生成的气体作为稀释性气体使用之方法。
申请公布号 TW509666 申请公布日期 2002.11.11
申请号 TW085115907 申请日期 1996.12.23
申请人 昭和电工股份有限公司 发明人 大野博基;中条哲夫;新井龙晴;大井敏夫
分类号 C07C17/10 主分类号 C07C17/10
代理机构 代理人 何金涂 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种制造全氟化碳之方法,其特征为:在第一反应区中使一选自于氟甲烷、二氟甲烷、三氟甲烷、三氟乙烷、四氟乙烷、五氟乙烷、五氟丙烷、六氟丙烷和七氟丙烷的氢氟化碳与氟气体于汽相中于350-450℃的高反应温度进行接触,将所生成之气体作为稀释性气体导入于第二反应区中,将不同于第一反应区所反应者的氢氟化碳(若须要连同氟气体)送至第二反应区,以使在300-400℃的高反应温度中接触,其中第一反应区及/或第二反应区的压力系在0-3MPa(表压)的范围内,第一反应区及/或第二反应区之稀释性气体系含有四氟甲烷、六氟乙烷、八氟丙烷及氟化氢中的至少一者,且第一反应区与第二反应区之入口的氢氟化碳浓度系为1至8莫耳%。2.如申请专利范围第1项之制造全氟化碳之方法,其中将第二反应区中所生成之气体的至少一部分用作为第一反应区之稀释性气体。3.如申请专利范围第1项之制造全氟化碳之方法,其中所获得之全氟化碳系选自于四氟甲烷、六氟乙烷及八氟丙烷中的2种以上者。4.如申请专利范围第1项之制造全氟化碳之方法,其中所用的氢氟化碳含有作为不纯物的含氯化合物之浓度为2莫耳%以下。图式简单说明:第1图系本发明实施例之流程面。
地址 日本
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