发明名称 | 斜切底材上的半导体发光二极管 | ||
摘要 | 一种以化合物半导体材料制成的发光二极管,它包括发射光的具有多重量子井结构的主动区域,主动区域被上下两层的InGaAlP与上层的包覆层夹持包覆。InGaAlP的外延层是用有机金属气相外延法(OMVPE)在GaAs底材上以倾斜角度<111>;A形成,一斜切底材与较低层包覆层的电性相同。较高层包覆层的上面有第二种导电性的光线穿透层即电流扩散层,供电流扩散与发射光线的扩展。光线穿透层包括一个壅塞层、一个晶格梯度层及对于入射光线其能阶是透明的窗户层。 | ||
申请公布号 | CN1377095A | 申请公布日期 | 2002.10.30 |
申请号 | CN01112063.0 | 申请日期 | 2001.03.23 |
申请人 | 洲磊科技股份有限公司 | 发明人 | 郭立信;许靖豪;吴伯仁;许文士 |
分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 任永武 |
主权项 | 1.一种发光二极管,其特征在于,它至少包括:一金属接触底座;一第一导电型GaAs底材,它在所述金属接触底座上面,所述底材沿<111>A角度斜切,所述斜切角度大于10°;一所述第一导电型InGaAlP层,它位于所述底材上面;一主动层,它位于所述第一导电型InGaAlP层上面,所述主动层无原子次序;一第二导电型InGaAlP层,它位于所述主动层上面,其电性与所述第一导电型InGaAlP层相反;一窗户层,它位于所述第二导电型InGaAlP层上面;以及一金属接触顶座,它位于所述窗户层上面。 | ||
地址 | 台湾省桃园县龟山乡山顶村山莺路165号 |