发明名称 | 具有薄膜的堆叠半导体及薄膜制造方法 | ||
摘要 | 一种具有薄膜的堆叠半导体及薄膜制造方法。为提供一种电传递性能好、制造方便、成本低的堆叠半导体及其辅助材料的制造方法,提出本发明,其薄膜制造方法包括制作设有镂空区域的框架、固定第一覆盖层、于框架的镂空区域设置薄膜及将薄膜切割成薄膜片;其具有薄膜的堆叠半导体包括基板、上表面形成焊垫的下层半导体晶片、复数条导线、堆叠于下层半导体晶片上表面的上层半导体晶片及黏设于下层半导体晶片上表面两侧两薄膜片。 | ||
申请公布号 | CN1372310A | 申请公布日期 | 2002.10.02 |
申请号 | CN01104224.9 | 申请日期 | 2001.02.26 |
申请人 | 胜开科技股份有限公司 | 发明人 | 蔡孟儒;彭镇滨;叶乃华;吴志成;王志峰;李文赞 |
分类号 | H01L21/48;H01L25/04;H01L23/12;H01L23/48 | 主分类号 | H01L21/48 |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘领弟 |
主权项 | 1、一种薄膜制造方法,其特征在于它包括下列步骤:制作框架制作成具有上表面、下表面及于中间设有镂空区域的框架;固定第一覆盖层将第一覆盖层固定于框架的下表面上,以将框架的镂空区域底部覆盖住;设置薄膜将待切割的薄膜设于框架的镂空区域内,并附著于第一覆盖层上;切割薄膜以切割刀具将薄膜切割成适当尺寸的薄膜片。 | ||
地址 | 台湾省新竹县 |