| 主权项 |
1.一种覆晶晶片,包括:一基底,具有复数个线路区域及至少一静电保护区域,其中,该些线路区域系彼此间隔,且该静电保护区域系位于该些线路区域相邻之处;复数个静电放电保护元件,位于该静电保护区域之上;复数个内元件,位于该些线路区域之上;一内连线层,具有复数条内连线;以及复数个焊垫,位于该静电保护区域的上方,其中每一该些静电放电保护元件系,藉由该些内连线,分别连接至每一该些焊垫,且每一该些内元件系,藉由该些内连线连接至相邻之该静电保护区域上方之该些焊垫。2.如申请专利范围第1项所述之覆晶晶片,更包括一保护层,覆于该些焊垫之上,并暴露出该些焊垫。3.如申请专利范围第2项所述之覆晶晶片,其中该保护层材质包括二氧化矽。4.如申请专利范围第2项所述之覆晶晶片,其中,该保护层材质包括氮化矽。5.一种覆晶晶片,包括:一基底,具有复数个线路区域及至少一静电保护区域,其中,该些线路区域系彼此间隔,且该静电保护区域系位于该些线路区域相邻之处;复数个静电放电保护元件,位于该静电保护区域之上;复数个内元件,位于该些线路区域之上;一内连线层,具有复数条内连线;复数个焊垫,位于该静电保护区域的上方;一绝缘层,覆于该些焊垫之上,并暴露出该些焊垫;以及复数个厚导电块,位于该绝缘层之上,且每一该些厚导电块系分别对应每一该些线路区域,其中每一该些静电放电保护元件系,藉由该些内连线,分别连接至每一该些焊垫,且每一该些内元件系藉由该些内连线连接至相邻之该静电保护区域上方之该些焊垫,其中,部分之该些内元件系,藉由该些内连线及该些厚导电块,连接至该些焊垫,其他部分之该些内元件系,藉由该些内连线连接至该些焊垫。6.如申请专利范围第5项所述之覆晶晶片,其中,部份之该些厚导电块具有一线路图案,适用于藉由该线路图案将该些厚导电块与相邻之部份之该些焊垫相连接。7.如申请专利范围第5项所述之覆晶晶片,更包括:一接地平面,由部份之该些厚导电块定义而成;一电源平面,由该接地平面以外的部份之其他该些厚导电块定义而成。8.如申请专利范围第5项所述之覆晶晶片,其中,部份之该些厚导电块具有一线路图案,适用于藉由该线路图案作为一重配置线路,以将与该些厚导电块相邻之部份之该些焊垫朝该些厚导电块所属的该些线路区域内拉,而形成复数个重配置焊垫。9.如申请专利范围第5项所述之覆晶晶片,其中,该些厚导电块具有一线路图案,适用于藉由该线路图案作为一绕线,以将部份之该些厚导电块相连接,以使部份之位于不同之该线路区域内之该些内元件,可透过该绕线及该些内连线彼此相连接。10.如申请专利范围第5项所述之覆晶晶片,其中,该绝缘层包括:一保护层,覆于该些焊垫之上,并暴露出该些焊垫。11.如申请专利范围第10项所述之覆晶晶片,其中,该保护层材质包括二氧化矽。12.如申请专利范围第10项所述之覆晶晶片,其中,该保护层材质包括氮化矽。13.如申请专利范围第10项所述之覆晶晶片,其中,该绝缘层更包括一介电层,位于该保护层之上,暴露出该些焊垫。14.如申请专利范围第13项所述之覆晶晶片,其中,该介电层材质包括聚亚醯胺。15.如申请专利范围第13项所述之覆晶晶片,其中,该介电层材质包括苯基环丁烯。16.一种覆晶晶片,包括:一基底,具有复数个线路区域及至少一静电保护区域,其中,该些线路区域系彼此间隔,且该静电保护区域系位于该些线路区域相邻之处;复数个静电放电保护元件,位于该静电保护区域之上;复数个内元件,位于该些线路区域之上;一内连线层,具有复数条内连线;复数个焊垫,位于该静电保护区域的上方;一绝缘层,覆于该些焊垫之上,并暴露出该些焊垫;以及复数个厚导电块,位于该绝缘层之上,且每一该些厚导电块系分别对应每一该些线路区域,其中,部份之该些厚导电块具有一线路图案,包括一重配置线路以及一绕线,该重配置线路系将部份之与该些厚导电块相邻之该些焊垫朝该些厚导电块所属的该些线路区域内拉,而形成复数个重配置焊垫,该绕线系使部份之该些厚导电块相连接,其中每一该些静电放电保护元件系,藉由该些内连线,分别连接至每一该些焊垫,且每一该些内元件系藉由该些内连线连接至相邻之该静电保护区域上方之该些焊垫。17.如申请专利范围第16项所述之覆晶晶片,其中,该绝缘层包括:一保护层,覆于该些焊垫之上,并暴露出该些焊垫。18.如申请专利范围第17项所述之覆晶晶片,其中,该保护层材质包括二氧化矽。19.如申请专利范围第17项所述之覆晶晶片,其中,该保护层材质包括氮化矽。20.如申请专利范围第17项所述之覆晶晶片,其中,该绝缘层更包括一介电层,位于该保护层之上,暴露出该些焊垫。21.如申请专利范围第20项所述之覆晶晶片,其中,该介电层材质包括聚亚醯胺。22.如申请专利范围第20项所述之覆晶晶片,其中,该介电层材质包括苯基环丁烯。图式简单说明:第1图绘示依照本发明第1实施例之一种覆晶晶圆上视图;第2图系第1图中之一覆晶晶片放大示意图;第3图系第2图沿Ⅰ-Ⅰ剖线之剖视图;第4图及第5图绘示依照本发明第1实施例之变化例之覆晶晶片上视示意图;第6图绘示依照本发明第2实施例之一种覆晶晶片上视示意图;第7图系第6图中局部区域580沿剖线Ⅱ-Ⅱ之剖视图;第8图及第9图绘示依照本发明第2实施例之变化例之覆晶晶片上视示意图;第10图绘示依照本发明第3实施例之一种覆晶晶片上视示意图;第11图系第10图中局部区域880沿剖线Ⅲ-Ⅲ之剖视图。 |
