| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体,包含: 一闸极,设置于一预定基板上及以一预定图案制成 ; 一半导体层,系对应于该闸极之图案而制成; 一像素电极,系连接该半导体层;及 一讯号电极,系连接该半导体层且相隔于该像素电 极以一预定间距, 其中该讯号电极系设于一位置,即该讯号电极可防 止来自一相邻讯号电极之串扰经过该半导体层到 达该像素电极。2.如申请专利范围第1项之薄膜电 晶体,其中该半导体层系制成于一几乎相等于该闸 极图案之图案。3.如申请专利范围第1项之薄膜电 晶体,其中: 该闸极系提供于该基板上;及 该半导体层系隔着一闸绝缘膜及对应于该闸极图 案之图案,而制成于该闸极上。4.如申请专利范围 第1项之薄膜电晶体,其中该半导体层系制成于一 层上,该层较低于该闸极底层上所制成之一闸绝缘 膜。5.一种薄膜电晶体,包含: 一源极,提供于一预定之绝缘基板上; 一汲极,系藉由保持一相隔于该源极之预定间距而 设; 一半导体层,系设置以接触该源极及该汲极,且将 该二电极相互连接; 一闸绝缘膜,用于覆盖该半导体层;及 一闸极,系邻近于该闸绝缘膜;其中该闸极系藉由 提供一突伸部分几乎直交于该源极及该汲极而制 成图案,且该半导体层及该闸绝缘膜系依该闸极之 图案以制成图案,及 该汲极系邻近于该闸极上伸向该源极之该突伸部 分之根部。6.如申请专利范围第5项之薄膜电晶体, 其中该半导体层及该闸绝缘膜系在相同于该闸极 之制图过程中制成。7.如申请专利范围第5项之薄 膜电晶体,其中该源极及该汲极系以一预定间距相 互平行。8.一种液晶显示面板,具有一像素电极及 一薄膜电晶体通道结构供施加一电压至该像素电 极,包含: 一闸线,用于制成一闸极于该薄膜电晶体通道结构 中; 一讯号线,系连接至该薄膜电晶体通道结构中之一 讯号电极; 一半导体层,系在沿着该闸线之一状态下制成图案 ,且超出该薄膜电晶体通道结构;其中 该讯号电极系建构以防止来自一相邻讯号线之电 流流过该半导体层,供施加一电压至一邻近该先前 像素电极之像素电极。9.如申请专利范围第8项之 液晶显示面板,其中该半导体层留在该闸线上且具 有一寄生式薄膜电晶体于该相邻讯号线与该薄膜 电晶体通道结构之间。10.如申请专利范围第8项之 液晶显示面板,其中该闸极系制成于一基板上,及 该半导体层系制成于一层上,且该层较高于该闸极 顶层上所制成之该闸绝缘膜。11.如申请专利范围 第8项之液晶显示面板,其中该半导体层系制成于 一层上,该层较低于该闸极底层上所制成之该闸绝 缘膜。12.一种薄膜电晶体制造方法,包含: 一不透明膜步骤,系制成一具有预定形状之不透明 膜于一基板上; 一绝缘膜步骤,系制成一绝缘膜于该基板上,以覆 盖该不透明膜; 一源及汲电极制成步骤,系制成一源极及一汲极, 其系由具有一预定线宽度之金属膜制成,且在该成 型绝缘膜上相互保持一预定间距; 一半导体绝缘膜层步骤,系制成一半导体层及一闸 绝缘膜层于该绝缘膜上,且依序在该源极及该汲极 上方; 一闸极制成步骤,系制成一用于一闸极之金属膜于 该闸绝缘膜层上; 一图案制成步骤,系制成该半导体层、该闸绝缘膜 层、及该金属膜之图案,及制成一具有一薄膜电晶 体通道结构之突伸TFT部分,其中该半导体层及该闸 绝缘膜层系制成于超出该突伸TFT部分之该闸极之 该位置处;其中 该源及汲电极制成步骤系制成一源极及一汲极之 任一者,做为一讯号电极,以利跨过制成于该图案 制成步骤中之该突伸TFT部分。13.如申请专利范围 第12项之薄膜电晶体制造方法,其中该图案制成步 骤系制成该半导体层、该闸绝缘膜层、及该金属 膜之图案,以用于该同一图案制成步骤中之一闸极 。14.如申请专利范围第12项之薄膜电晶体制造方 法,其中该图案制成步骤系制成该半导体层、该闸 绝缘膜层、及该金属膜之图案,以将一闸极制成几 乎该同一图案。图式简单说明: 图1系一顶视图,揭示此实施例之薄膜电晶体; 图2系图1之AA'截面图; 图3系一图表,揭示一习知TFT结构之驱动波形; 图4系一图表,揭示此实施例之TFT结构之驱动波形; 图5(a)至5(d)揭示此实施例之TFT制造步骤; 图6(a)至6(b)系顶视图,揭示当发生一对准移动时之 TFT结构; 图7系揭示一习知薄膜电晶体之典型结构;及 图8系一顶视图,说明一非构成本发明之一薄膜电 晶体结构。 |
