| 主权项 |
1.一种准分子雷射对微球面与非球面高分子结构阵列制程,包括有下列步骤:(a)准备一表面涂布有高分子材之基板,以及设有预定曲线图案之至少一光罩;(b)以一准分子雷射光源透过光罩对该基板上之高分子材进行照射,且同时沿一第一对应方向相对移动基板,使高分子材被蚀刻而形成一第一立体图案;(c)沿一第二对应方向相对移动该基板,同时并以准分子雷射光源透过光罩对第一立体图案进行照射蚀刻而形成一第二立体图案。2.如申请专利范围第1项所述之准分子雷射对微球面与非球面高分子结构阵列制程,其中,该高分子材系为光阻材。3.如申请专利范围第1项所述之准分子雷射对微球面与非球面高分子结构阵列制程,其中,高分子材系以包括:旋涂方法(Rotary Spindle)、印刷方法(Printing)、以及化学增层方法(Chemical Deposition)之中的其中之一方法涂布于基板上。4.如申请专利范围第1项所述之准分子雷射对微球面与非球面高分子结构阵列制程,其中,该基板系为半导体基板。5.如申请专利范围第1项所述之准分子雷射对微球面与非球面高分子结构阵列制程,其中,该基板的材质系为矽。6.如申请专利范围第1项所述之准分子雷射对微球面与非球面高分子结构阵列制程,其中,该预定曲线图案系在沿着与该对应方向垂直的方向上设置若干几何形状之可透光区域。7.如申请专利范围第6项所述之准分子雷射对微球面与非球面高分子结构阵列制程,其中,该几何形状可透光区域于沿着与该对应方向垂直的方向上的宽度并非定値,因此,当以准分子雷射光源透过光罩照射高分子材且同时相对移动基板时,高分子材于沿着垂直该对应方向的方向上系受到不同时间长度的准分子雷射光源照射,因而受到不同程度的蚀刻以形成该立体图案。8.如申请专利范围第1项所述之准分子雷射对微球面与非球面高分子结构阵列制程,其中,该第一对应方向与第二对应方向为垂直。9.如申请专利范围第8项所述之准分子雷射对微球面与非球面高分子结构阵列制程,其中,该垂直之第一对应方向与第二对应方向,系藉由在完成步骤(b)之照射,将同一基板相对旋转九十度角,然后再沿着相同之第一对应方向执行步骤(c)之照射,而使第一对应方向与第二对应方向实质上系为垂直。10.如申请专利范围第1项所述之准分子雷射对微球面与非球面高分子结构阵列制程,其中,步骤(b)与步骤(c)所使用之光罩上的预定曲线图案系为相同。11.如申请专利范围第1项所述之准分子雷射对微球面与非球面高分子结构阵列制程,其中,步骤(b)与步骤(c)所使用之光罩上的预定曲线图案系为不同。12.如申请专利范围第10项所述之准分子雷射对微球面与非球面高分子结构阵列制程,其中,第一对应方向与第二对应方向系为相同。13.如申请专利范围第1项所述之准分子雷射对微球面与非球面高分子结构阵列制程,其中,第二立体图案系为类球面结构。14.如申请专利范围第1项所述之准分子雷射对微球面与非球面高分子结构阵列制程,其中,在步骤(c)之后更包括有下列步骤:(d)以化学蚀刻方式去除高分子材之碎屑。15.如申请专利范围第1项所述之准分子雷射对微球面与非球面高分子结构阵列制程,其中,在步骤(c)之后更包括有下列步骤:(e)进行表面处理使第二立体图案表面的滑顺化。16.如申请专利范围第15项所述之准分子雷射对微球面与非球面高分子结构阵列制程,其中,所述之表面处理方式系以低于高分子材熔点的温度进行低温调质扩散(reflow diffusion)。17.如申请专利范围第15项所述之准分子雷射对微球面与非球面高分子结构阵列制程,其中,所述之表面处理方式系为高能量束快速加工。18.如申请专利范围第15项所述之准分子雷射对微球面与非球面高分子结构阵列制程,其中,所述之表面处理方式系为快速热回火处理(RTA)。19.如申请专利范围第1项所述之准分子雷射对微球面与非球面高分子结构阵列制程,其中,在步骤(c)之后更包括有下列步骤:(f)在基板及第二立体图案上溅镀种子层;(g)以电镀方式在溅镀种子层上形成一预定厚度之金属层;(h)将金属层脱离基板及第二立体图案,使该金属层成为可压制微阵列结构之金属模。20.一种准分子雷射对微球面与非球面高分子结构阵列制程,包括有下列步骤:(a)准备一表面涂布有高分子材之基板,以及设有预定曲线图案之至少一光罩,该预定曲线图案系在沿着一直线方向上设置若干几何形状之可透光区域,且可透光区域于沿着该直线方向上的宽度并非定値;(b)以一准分子雷射光源透过光罩对该基板上之高分子材进行照射,且同时沿着与该直线方向相垂直之第一对应方向进行基板的相对移动,使高分子材被蚀刻而形成一第一立体图案。21.如申请专利范围第20项所述之准分子雷射对微球面与非球面高分子结构阵列制程,其中,于步骤(b)后更包括有下列步骤:(c)将基板相对旋转九十度角后,沿该第一对应方向相对移动基板且同时并以准分子雷射光源透过光罩对第一立体图案进行照射蚀刻而形成一第二立体图案。22.如申请专利范围第21项所述之准分子雷射对微球面与非球面高分子结构阵列制程,其中,步骤(b)与步骤(c)所使用之光罩上的预定曲线图案系为不同。23.如申请专利范围第20项所述之准分子雷射对微球面与非球面高分子结构阵列制程,其中,在步骤(b)之后更包括有下列步骤:(d)以化学蚀刻方式去除高分子材之碎屑。24.如申请专利范围第20项所述之准分子雷射对微球面与非球面高分子结构阵列制程,其中,在步骤(b)之后更包括有下列步骤:(e)进行表面处理使该立体图案表面的滑顺化。25.如申请专利范围第24项所述之准分子雷射对微球面与非球面高分子结构阵列制程,其中,所述之表面处理方式系以低于高分子材熔点的温度进行低温调质扩散(reflow diffusion)。26.如申请专利范围第24项所述之准分子雷射对微球面与非球面高分子结构阵列制程,其中,所述之表面处理方式系为高能量束快速加工。27.如申请专利范围第24项所述之准分子雷射对微球面与非球面高分子结构阵列制程,其中,所述之表面处理方式系为快速热回火处理(RTA)。28.如申请专利范围第20项所述之准分子雷射对微球面与非球面高分子结构阵列制程,其中,在步骤(b)之后更包括有下列步骤:(f)在基板及第二立体图案上溅镀种子层;(g)以电镀方式在溅镀种子层上形成一预定厚度之金属层;(h)将金属层脱离基板及第二立体图案,使该金属层成为可压制微阵列结构之金属模。图式简单说明:图一系为习用以单道步进机曝光并配合高温调质法制造的流程示意图。图二系为习用之光敏玻璃制程的流程示意图。图三系为习用之加温滴入制程的示意图。图四A至四G系为本发明准分子雷射对微球面与非球面高分子结构阵列制程之一较佳实施例。图五A及图五B分别为本发明之光罩上的预定曲线图案、以及其所能形成之第一立体图案的实施例。图六A及图六B分别为本发明之光罩上的预定曲线图案、以及其所能形成之第一立体图案的另一实施例。图七系本发明之高分子材在经过至少两次照射蚀刻后所得到的类球面立体微阵列结构示意图。 |
