发明名称 可低温烧结的低损耗介质陶瓷组合物及其制备方法
摘要 一种在低温烧结的低损耗高频介质陶瓷组合物及其制造方法,特征在于使用低价材料,如ZnO-MO(M=Mg、Co、Ni)-TiO<SUB>2</SUB>,实现了优异的介电性能,例如与传统高频陶瓷组合物相比,明显更低的烧结温度和更高的品质因数和介电常数、稳定的温度系数、和根据组成而变化的温度补偿性能。此外,可以使用Ag、Cu、它们的合金或Ag/Pd合金作为内电极。因此,本发明的组合物可以用作所有种类的高频器件的介质材料,如多层片式电容器、多层片式滤波器、多层片式电容器/电感器复合器件和模块、低温烧结基板、谐振器或滤波器和陶瓷天线。
申请公布号 CN1359358A 申请公布日期 2002.07.17
申请号 CN00809859.X 申请日期 2000.08.30
申请人 韩国科学技术研究院 发明人 金润镐;金孝泰
分类号 C04B35/46;H01B3/12 主分类号 C04B35/46
代理机构 北京市中咨律师事务所 代理人 段承恩;刘金辉
主权项 1.一种高频介质陶瓷组合物,通过结合(Zn1-xMx)TiO3和yTiO2的混合物作为主要成分,向其中加入0-5重量%B2O3、0-5重量%H3BO3、0-5重量%SiO2-K2O玻璃、0-5重量%B2O3和SiO2-K2O玻璃,或0-5重量%H3BO3和SiO2-K2O玻璃中的一种作为添加剂而构成,满足下列条件:M是Mg、Co或Ni,在Mg的情况下‘x’为0≤x≤0.55,在Co的情况下‘x’为0≤x≤1.0,在Ni的情况下‘x’为0≤x≤1.0,且0≤y≤0.6。
地址 韩国汉城特别市