发明名称 | 可低温烧结的低损耗介质陶瓷组合物及其制备方法 | ||
摘要 | 一种在低温烧结的低损耗高频介质陶瓷组合物及其制造方法,特征在于使用低价材料,如ZnO-MO(M=Mg、Co、Ni)-TiO<SUB>2</SUB>,实现了优异的介电性能,例如与传统高频陶瓷组合物相比,明显更低的烧结温度和更高的品质因数和介电常数、稳定的温度系数、和根据组成而变化的温度补偿性能。此外,可以使用Ag、Cu、它们的合金或Ag/Pd合金作为内电极。因此,本发明的组合物可以用作所有种类的高频器件的介质材料,如多层片式电容器、多层片式滤波器、多层片式电容器/电感器复合器件和模块、低温烧结基板、谐振器或滤波器和陶瓷天线。 | ||
申请公布号 | CN1359358A | 申请公布日期 | 2002.07.17 |
申请号 | CN00809859.X | 申请日期 | 2000.08.30 |
申请人 | 韩国科学技术研究院 | 发明人 | 金润镐;金孝泰 |
分类号 | C04B35/46;H01B3/12 | 主分类号 | C04B35/46 |
代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 段承恩;刘金辉 |
主权项 | 1.一种高频介质陶瓷组合物,通过结合(Zn1-xMx)TiO3和yTiO2的混合物作为主要成分,向其中加入0-5重量%B2O3、0-5重量%H3BO3、0-5重量%SiO2-K2O玻璃、0-5重量%B2O3和SiO2-K2O玻璃,或0-5重量%H3BO3和SiO2-K2O玻璃中的一种作为添加剂而构成,满足下列条件:M是Mg、Co或Ni,在Mg的情况下‘x’为0≤x≤0.55,在Co的情况下‘x’为0≤x≤1.0,在Ni的情况下‘x’为0≤x≤1.0,且0≤y≤0.6。 | ||
地址 | 韩国汉城特别市 |