半导体存储器及其制造方法

摘要

在2层以上的栅极电极构造的上层栅极中应用多晶硅与高熔点金属或其硅化物的复合构造的栅极电极的半导体存储器中，防止因热处理时的应力集中，在高熔点金属或其硅化物层表面凹部产生裂缝。解决方法是在淀积高熔点金属或其硅化物层之前，与衬底的凹凸无关地使其下层的多晶硅平坦化，以此，平坦地淀积高熔点金属或其硅化物层，防止热处理时产生的应力集中部位的产生。

主权项

1、半导体存储器的制造方法，包括以下步骤：制备具有上表面的硅衬底；在硅衬底上形成第1绝缘膜；在硅衬底上形成器件隔离层，用于隔离硅衬底中的器件形成区，器件隔离层的上表面位于比硅衬底的上表面更高的水平；在第1绝缘膜上形成第1多晶硅层；在器件隔离层和第1多晶硅层上形成第2绝缘膜；在第2绝缘膜上形成第2多晶硅层使得第2多晶硅层具有大致平坦的上表面而不管器件隔离层和第1多晶硅层的结构，从而减少随后的热处理导致的热应力裂缝；在基本平坦的第2多晶硅层上形成高熔点金属层；以及对高熔点金属层进行退火，从而在基本平坦的第2多晶硅层上形成硅化物层。